AUIRFZ48N

55V, N-Ch, 14 mΩ max, Automotive MOSFET, TO220, Gen 7
データシート

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AUIRFZ48N
AUIRFZ48N
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly ((Last BE site, current, subject to change))
    China
  • Country of Diffusion ((Last FE site, current, subject to change))
    Taiwan
  • ID (@25°C) (最大)
    69 A
  • Ptot (最大)
    160 W
  • Qgd
    17 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    14 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.95 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) (最小)
    2 V
  • VGS(th) (最大)
    4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO220
  • 予算価格€/ 1k
    1.13
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    Gen 7
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • Advanced planar technology
  • Dynamic dV/dT rating
  • 175°C operating temperature
  • Fast switching
  • Fully Avalanche Rated
  • Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
  • Lead free, RoHS compliant
  • Automotive qualified

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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