アクティブで優先
RoHS準拠
鉛フリー

AIMZH120R030M1T

Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 30mΩ
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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AIMZH120R030M1T
AIMZH120R030M1T
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ID (@25°C) max
    69 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    30 mΩ
  • VDS max
    1200 V
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Launch year
    2023
  • Qualification
    Automotive
推奨
OPN
AIMZH120R030M1TXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC Mosfet features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on-board charger and DCDC applications.

機能

  • Very low switching losses
  • Increased turn-on voltage VGS(on)= 20 V
  • Best in class switching energy
  • Lowest device capacitances
  • low Crss/Ciss ratio and high VGS(th) to avoid parasitic turn-on
  • Reduced total gate charge QGtot for lower driving power and losses
  • .XT die attach technology for best in class thermal performance
  • Sense pin for optimized switching performance
  • Suitable for HV creepage requirements
  • Thinner leads for reduced risk of solder bridges

利点

  • Efficiency improvement
  • Enabling higher frequency
  • Increased power density
  • Cooling effort reduction
  • Reduction of system complexity and cost

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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