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AIMBG75R140M1H
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

AIMBG75R140M1H

生産終了
The CoolSiC™ MOSFET 750 V is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability.
データシート
パッケージ

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AIMBG75R140M1H
AIMBG75R140M1H
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    17 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    182 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    140 mΩ
  • VDS (最大)
    750 V
  • パッケージ
    D2PAK 7-pin
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive

OPN
AIMBG75R140M1HXTMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
The CoolSiC™ MOSFET 750 V leverages more than 20 years of SiC experience in Infineon. It offers an edge in performance, reliability and robustness, with gate driving flexibility, enabling the simplified and cost effective system design for top efficiency and power density. The innovative top-side-cooling package further enhance the CoolSiC™ 750 V strengths offering more density, optimized power loop design and less system and assembly cost.

特長

  • Highly robust 750 V technology
  • Best-in-class RDS(on) x Qfr
  • Excellent Ron x Qoss and Ron x QG
  • Low Crss/Ciss together and high Vgsth
  • 100% avalanche tested 
  • Infineon die attach technology 
  • Cutting-edge top-side-cooled package

利点

  • Superior efficiency in hard switching
  • Enables higher switching frequency
  • Higher reliability
  • Withstand bus voltages beyond 500 V
  • Robustness against parasitic turn
  • Unipolar driving
  • Best-in-class thermal dissipation
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ