AIMBG75R020M2H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

AIMBG75R020M2H

D2PAK-7パッケージのCoolSiC™ 車載用MOSFET 750 V G2 (20 mΩ)
データシート
パッケージ

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AIMBG75R020M2H
AIMBG75R020M2H
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    79 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    25 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    20 mΩ
  • VDS (最大)
    750 V
  • パッケージ
    D2PAK 7-pin
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
AIMBG75R020M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
CoolSiC™ MOSFET 750 Vは、インフィニオンの20年以上にわたるSiCの経験を活用しています。ゲート駆動の柔軟性により、性能、信頼性、堅牢性で優位性を提供し、最高の効率と電力密度に向けたシンプルでコスト効率の高いシステム設計を可能にします。革新的な上面放熱パッケージにより、CoolSiC™ 750 Vの強みがさらに強化され、高密度化、電力ループ設計の最適化、システムおよび組み立てコストの削減を実現します。

特長

  • 高い堅牢性を備えた750 Vテクノロジー
  • クラス最高のRDS(on) x Qfr
  • 優れたRon x QossおよびRon x QG
  • 低Crss/Cissと高Vgsth
  • 100%アバランシェ試験済み
  • インフィニオンのダイ アタッチ技術
  • 最先端の上面放熱パッケージ

利点

  • ハードスイッチングにおける優れた効率
  • より高いスイッチング周波数を実現
  • より高い信頼性
  • 500 V超のバス電圧に対応
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性
  • ユニポーラ駆動
  • クラス最高の放熱性
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ