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AIKW50N65RF5
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

AIKW50N65RF5

生産終了
Hybrid Power Discrete with SiC power technology in THD package for e-Mobility applications
データシート
パッケージ

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AIKW50N65RF5
AIKW50N65RF5
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Eoff
    0.12 mJ
  • Eon
    0.31 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    80 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    46 A
  • ICpuls (最大)
    150 A
  • IF (最大)
    40 A
  • IFpuls (最大)
    100 A
  • QGate
    109 nC
  • td(off)
    156 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    13 ns
  • tr
    12 ns
  • VF
    1.45 V
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5 + CoolSiC Schottky Diode Gen5
  • 発売年
    2020

OPN
AIKW50N65RF5XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon's hybrid of 650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT & CoolSiC™ Diode offers cost-effective performance for fast-switching automotive apps like On-Board Charger & DC-DC. It provides a great cost-performance trade-off, reducing IGBT Eon significantly & enabling easier design-in for better margins.

特長

  • 650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT + CoolSiC™ Gen5
  • Best-in-class switching and conduction
  • No reverse & forward recovery charge
  • High operating temp: Tj,max = 175°C
  • Robust against surge currents
  • Low gate charge Qg

利点

  • Highest reliability environ conditions
  • Increased system efficiency
  • Best perf/cost ratio hard switching top
  • For bidirectional On-Board Chargers
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ