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生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

AIKW50N65RF5

生産終了
Hybrid Power Discrete with SiC power technology in THD package for e-Mobility applications

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Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Eoff
    0.12 mJ
  • Eon
    0.31 mJ
  • IC (@ 25°) max
    80 A
  • IC (@ 100°) max
    46 A
  • ICpuls max
    150 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    100 A
  • QGate
    109 nC
  • td(off)
    156 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    13 ns
  • tr
    12 ns
  • VF
    1.45 V
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5 + CoolSiC Schottky Diode Gen5
  • 発売年
    2020
OPN
AIKW50N65RF5XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon's hybrid of 650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT & CoolSiC™ Diode offers cost-effective performance for fast-switching automotive apps like On-Board Charger & DC-DC. It provides a great cost-performance trade-off, reducing IGBT Eon significantly & enabling easier design-in for better margins.

機能

  • 650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT + CoolSiC™ Gen5
  • Best-in-class switching and conduction
  • No reverse & forward recovery charge
  • High operating temp: Tj,max = 175°C
  • Robust against surge currents
  • Low gate charge Qg

利点

  • Highest reliability environ conditions
  • Increased system efficiency
  • Best perf/cost ratio hard switching top
  • For bidirectional On-Board Chargers

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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