Active and preferred
RoHS準拠

AIKBE50N65RF5

Automotive Silicon-carbide (SiC) Hybrid Discrete 650 V in D2PAK-7L
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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AIKBE50N65RF5
AIKBE50N65RF5
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Eoff
    0.09 mJ
  • Eon
    0.12 mJ
  • IC (@ 100°) max
    65 A
  • IC (@ 25°) max
    96 A
  • ICpuls max
    150 A
  • IF max
    57 A
  • IFpuls max
    120 A
  • QGate
    108 nC
  • td(off)
    136 ns
  • td(on)
    16.8 ns
  • tf
    14 ns
  • tr
    7.6 ns
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    40 Hz to 100 Hz
  • パッケージ
    TO263-7
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5 + CoolSiC Schottky Diode Gen5
  • 発売年
    2023
推奨
OPN
AIKBE50N65RF5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon has developed a hybrid of 650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO fast-switching IGBT and CoolSiC™ Schottky Diode to enable a cost-efficient performance boost for fast switching automotive applications such as On-Board Charger, PFC, DC-DC.

機能

  • 650 V breakdown voltage
  • IC = 50 A
  • Best-in-class efficiency
  • Trenchstop™ 5 fast-switching IGBT
  • CoolSiC™ Schottky diode G5
  • Low gate charge QG
  • Maximum junction temperature Tvjmax = 175°C
  • Kelvin emitter connection

利点

  • Highest reliability against environmental conditions
  • Increased system efficiency
  • Best performance/cost ratio for hard switching topologies
  • Supporting bi-directional On-Board Charger designs

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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