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生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

AIDW20S65C5

生産終了
データシート
パッケージ

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AIDW20S65C5
AIDW20S65C5
データシート

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    103 A
  • IF (最大)
    20 A
  • IR
    3.4 µA
  • Ptot (最大)
    111.6 W
  • QC
    29 nC
  • RthJC
    1.04 K/W
  • VF
    1.5 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 認定
    Automotive
OPN
AIDW20S65C5XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 5th Generation CoolSiC™ Automotive Schottky Diode embodies Infineon's advanced Silicon Carbide Schottky Barrier diode technology. Its compact design and thin wafer-based technology offer improved efficiency across all load conditions, with superior thermal characteristics and low figure of merit (Qc x Vf). Complementing Infineon’s IGBT and CoolMOS™ portfolio, it meets demanding application requirements in the 650V voltage class.

特長

  • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
  • Benchmark switching behavior
  • No reverse recovery/ No forward recovery
  • Temperature independent switching behavior
  • High surge current capability
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • Junction Temperature range from  -40°C to 175°C
  • System efficiency improvement over Si diodes
  • System cost / size savings due to reduced cooling requirements
  • Enabling higher frequency / increased power density solutions
  • Higher system reliability due to lower operating temperatures
  • Reduced EMI

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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