新規設計は非推奨
RoHS準拠

AIDK12S65C5

The 5th Generation CoolSiC™ Automotive Schottky Diode and represents Infineon leading edge technology for Silicon Carbide Schottky Barrier diodes
データシート
パッケージ

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AIDK12S65C5
AIDK12S65C5
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    50 A
  • IF max
    12 A
  • IR
    2 µA
  • Ptot max
    62 W
  • QC
    18 nC
  • RthJC
    1.9 K/W
  • VF
    1.5 V
  • 認定
    Automotive
OPN
AIDK12S65C5ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-2
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-2
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Thanks to a compact design and a technology based on thin wafers, this family of products shows improved efficiency over all load conditions resulting from both its thermalcharacteristics and low figure of merit (Qc x Vf). This product family has been designed to complement Infineon’s IGBT and CoolMOS™ portfolio. This ensures meeting the most stringent application requirements inthe 650V voltage class.

機能

  • semiconductor material - Silicon Carbide
  • Benchmark switching behavior
  • No reverse recovery/ No forward recovery
  • Temperature independent switching
  • High surge current capability
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • Enhanced system efficiency
  • Cost/Size Savings from Reduced Cooling
  • Enabling Higher Frequency, Power Density
  • Enhance reliability at lower temperature
  • Reduced EMI

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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