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RoHS準拠
鉛フリー

1EDI20I12AF

1200 V, 4 A single-channel isolated gate driver with separate output and short circuit clamping
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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1EDI20I12AF
1EDI20I12AF
EA.
データシート

Product details

  • I q 1 max
    1 mA
  • I q 2 max
    2 mA
  • PD アウト
    400 mW
  • RDSON_H(最大)
    4.3 Ω
  • RDSON_H(標準)
    2.25 Ω
  • RDSON_L (最大)
    5 Ω
  • RDSON_L(標準)
    2.25 Ω
  • RthJA
    165 K/W
  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VBS UVLO (Off)
    11.1 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.75 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • 伝搬遅延オフ
    300 ns
  • 伝搬遅延オン
    300 ns
  • 入力 Vcc
    3.1 V to 17 V
  • 出力電流 (Source)
    4 A
  • 出力電流 (Sink)
    3.5 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    1200 V
推奨
OPN
1EDI20I12AFXUMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EiceDRIVER™ Compact single-channel isolated gate driver with 3.5/4 A typical sinking and sourcing peak output current in DSO-8 narrow package with 4 mm creepage distance for IGBTs , MOSFETs and SiC MOSFETs .1EDI20I12AF belongs to the EiceDRIVER™ 1ED Compact 150mil family (1ED-AF family). 1EDI20I12AF offers separate sink and source output, 240 ns input filter, accurate and stable timing. The driver can operate over a wide supply voltage range, either unipolar or bipolar.

機能

  • Compact single channel isolated
  • For 600 V, 650 V, 1200 V switches
  • Galv. isolated coreless transformer
  • 4 A typ sink & source peak output
  • 40 V absolute max. output voltage
  • 300 ns propagation delay
  • High CMTI >100 kV/μs
  • Separate source and sink outputs
  • Short-circuit clamping
  • DSO-8 150 mil narrow-body package
  • UVLO protection with hysteresis

利点

  • Integrated filters reduce the need of external filters
  • Suitable for operation at high ambient temperature and in fast switching applications
  • No need to adapt signal voltage levels between μController and driver
  • Active shutdown to ensure a safe IGBT off-state in case the output chip is not connected to the power
  • Short-circuit clamping to limit the gate voltage during short circuit

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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