TRENCHSTOP™ IGBT7
1200V TRENCHSTOP™ IGBT7：高出力密度および最適化されたスイッチング
950 V/1200V TRENCHSTOP™ IGBT7およびEC7ダイオード技術は、電力損失を大幅に削減し、高い制御性を提供する最新のマイクロパターントレンチ技術に基づいています。このチップは特に産業用ドライブ・アプリケーション向けに最適化されているため、静的損失の大幅低減、高電力密度、よりソフトなスイッチングを実現できます。さらに、パワーモジュールで過負荷状態での最大許容動作温度を175℃まで高めることにより、電力密度を大幅に高めることができます。
TRENCHSTOP™ IGBT7搭載EconoDUAL™ 3
高電力密度と高性能によるシステム簡易化およびコスト削減
EconoDUAL™ 3モジュールは、TRENCHSTOP™ IGBT7の最新世代を搭載し、製品ラインアップを電圧1200V、また電流範囲を600Aから900Aまで拡大しました。900A、1200V EconoDUAL™は、パッケージを改善し、同一フットプリントで以前より高い電流、温度に対応できるようになりました。
TRENCHSTOP™ IGBT7テクノロジーと組み合わせることにより、きわめて低損失、かつ高い制御性とスイッチング柔軟性、高い短絡耐量を実現しています。過負荷時の最高動作温度175°Cに併せて、高効率、高電力密度という利点により、システムの簡素化とコスト削減が可能になります。
TRENCHSTOP™ IGBT7搭載Easy Powerモジュール
インフィニオンのEasy 1B、Easy 2Bファミリーは、新しいTRENCHSTOP™IGBT7テクノロジーを完備し、ドライブアプリケーションにおいて高い電力密度、超低損失、高レベルの制御性を実現します。産業用ドライブアプリケーション向けに最適化された新しいラインアップは、PIMモジュールで最大11kW、インバータプラットフォーム用の6パックモジュールでは最大22kWの完全なソリューションを提供します。
新しいTRENCHSTOP™IGBT7 Easyモジュールの各製品は、前世代のTRENCHSTOP™IGBT4モジュールと同じピン配置で設計されています。したがって、新しく設計するインバータプラットフォームの設計サイクルと設計作業時間を削減できます。
Our Easy 3B package is now equipped with the brand-new 950V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 and L7 technology, which is optimized for 1500V PV string inverter. The S7 chip is optimized for 16kHz switching frequency whereas the L7 is optimized for 50Hz/60Hz. Together this chipset can enable a string inverter design capable of more than 200kW and weight well below 100kg. We will offer both inverter and boost solution with this IGBT7 chipset.
> For more product information, please check our Easy product page.
650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 T7 Discrete
We introduce the discrete 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 portfolio with new soft EC7 diode inside. This best-in-class price performance range have premium controllability for the better EMI while switching losses are lower than the former technologies.
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特長
過負荷耐量
TRENCHSTOP™IGBT4では最大接合部温度が150°Cですが、TRENCHSTOP™IGBT7では175°Cに向上しています。短時間の過負荷動作が繰り返し行われるドライブアプリケーションにとって利点となります。
最大接合部温度が175°CのTRENCHSTOP™ IGBT7は、ドライブアプリケーション向けに最適化されています。 -
特長
低いコレクタ・エミッタ飽和電圧
TRENCHSTOP™IGBT4に比べ、IGBT7ではコレクタ・エミッタ飽和電圧が約20％低減されます。これにより、ターゲットアプリケーション、特に通常は中程度のスイッチング周波数で動作する産業用ドライブの損失が大幅に削減されます。
IGBT7はコレクタ・エミッタ飽和電圧VCE(sat)とVfを約20％低下させます -
特長
制御性
TRENCHSTOP™ IGBT7は、高レベルの制御性を実現し、モータの絶縁要件やEMI制限に対応しています。制御性は、ゲート抵抗 (RG) 値の調整でdv/dtを変更するデバイス機能に関係します。
dv/dtの高い制御性 -
特長
向上したダイオード
EC7エミッタ制御ダイオードは、前世代のEC4に比べ、順方向電圧が100mV低くなっています。これにより、逆回復損失も減少します。柔軟性も向上することにより、インバータのEMI動作にとって利点となります。
順方向電圧の低減と逆回復損失の削減
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利点
出力アップ
TRENCHSTOP™ IGBT7を搭載したEconoDUAL™3の出力は、最大900Aです。同じフレームサイズで高いインバータ出力電流を利用でき、またモジュールの並列化を回避することでシステムコストの削減が可能です。
同じパッケージで出力が最大で50%向上 -
利点
パッケージの小型化
汎用ドライブ(GPD)向けアプリケーションの例では、IGBT4およびIGBT7テクノロジーを用いたモジュールを比較しています。システムコストの削減と同時に、いかに電力密度が上がるかをご覧頂けます。
小型パワーモジュールを使用することで電力密度を向上 -
利点
低損失
指定のdv/dt制限での導通損失は、著しく低減しています。さらに、ダイオード損失が減少し、全体で電力損失が15％低減されています。
低損失のため、エネルギー効率要件に対応 -
利点
ドライブ最適化
CGEおよびCGCのバランスが取れているため、IGBT7がdv/dtを制御し、スイッチング波形を最適化します。CGEは寄生ターンオン効果を回避するよう設計されており、ターンオフ用のゼロ電圧供給が可能です（ユニポーラゲートドライバ電源）。
IGBT7は、ゼロ電圧ターンオフ用に設計されており、シンプルドライブ用に最適化されています
