TRENCHSTOP™ IGBT7

概要

1200V TRENCHSTOP™ IGBT7：高出力密度および最適化されたスイッチング

1200V TRENCHSTOP™　IGBT7およびEC7ダイオード技術は、電力損失を大幅に削減し、高い制御性を提供する最新のマイクロパターントレンチ技術に基づいています。このチップは特に産業用ドライブ・アプリケーション向けに最適化されているため、静的損失の大幅低減、高電力密度、よりソフトなスイッチングを実現できます。さらに、パワーモジュールで過負荷状態での最大許容動作温度を175℃まで高めることにより、電力密度を大幅に高めることができます。

製品
詳細
主な特長 顧客の利点
  • 低いオン電圧 VCE(sat) および Vf
  • 過負荷時 Tvj op=175°C
  • dv/dtの制御性の向上
  • 最適化されたスイッチング損失dv/dt = 5kV /μs
  • 短絡耐性 8 μs
  • 還流ダイオードのソフトスイッチング特性の向上
  • 小型パワーモジュール（Easy1Bの25A PIMなど）を使用し電力密度を向上
  • 高効率を達成する低い電力損失
  • 損失とEMIのトレードオフ最適化
  • システムコストの削減

TRENCHSTOP™ IGBT7の技術的メリット

クラス最高のVCE(sat)

175°C時過負荷状態での接合部温度

ドライバーアプリケーションに最適化されたチューニング

高電力密度35%のパッケージの小型化

TRENCHSTOP™ IGBT7を用いたEasyパッケージ- 1200V予定ラインアップ

This might also interest you

Recommended documents

ビデオ

1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7：高出力密度および最適化されたスイッチング

1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7およびEC7ダイオード技術は、電力損失を大幅に削減し、高い制御性を提供する最新のマイクロパターントレンチ技術に基づいています。このチップは特に産業用ドライブ・アプリケーション向けに最適化されているため、静的損失の大幅低減、高電力密度、よりソフトなスイッチングを実現できます。さらに、パワーモジュールで過負荷状態での最大許容動作温度を175℃まで高めることにより、電力密度を大幅に高めることができます。

1:59

Introduction to TRENCHSTOP™ IGBT 7

Learn more about our leadtypes of EasyPIM™ and EasyPACK™ with TRENCHSTOP™ IGBT7. Furthermore we demonstrate the differences between TRENCHSTOP™ IGBT 4 and TRENCHSTOP™ IGBT7 and the achievement of the new TRENCHSTOP™ IGBT7.

サポート

当社の技術サポートが、英語、ドイツ語、中国語にて質問に対するサポートを行います。

サポートは年中無休でフリーダイヤルにて受け付けています。