S70KS1282GABHM020
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S70KS1282GABHM020

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S70KS1282GABHM020
S70KS1282GABHM020


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-2
  • メモリ容量
    128 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    35 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~125 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERRAM
  • 認定
    Automotive

OPN
S70KS1282GABHM020
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 3380
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 3380
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
S70KS1282GABHM020はHyperBusインターフェースの128-Mbit HyperRAMセルフリフレッシュDRAMで、8ビットDDR DQバス、RWDSストローブ、RESET#を備えます。最大200 MHzで最大400 MBps(3,200 Mbps)のスループット、リニア/ラップドバースト(16~128バイト)を設定可能。1.7 V~2.0 Vまたは2.7 V~3.6 V、-40°C~+125°C(AEC-Q100 Grade 1)、24ボールFBGAです。

特長

  • HyperBusインターフェース
  • 8ビットDQ[7:0]データバス
  • DDRで両エッジ転送
  • 最大200 MHzクロック
  • 最大400 MBpsスループット
  • 差動CK/CK#をオプション
  • RWDSストローブ/書込みマスク
  • DCARSでRWDSを位相シフト
  • バースト可変:リニア/ラップ
  • ラップ:16/32/64/128B
  • Hybrid Sleepモード
  • Deep Power Downモード

利点

  • HyperBusで並列より省ピン
  • 8ビットでPCB配線を簡素化
  • DDRでクロック当たり帯域増
  • 200 MHzで高速アクセス実現
  • 400 MBpsで大容量データ対応
  • 差動クロックで信号品質向上
  • RWDSでタイミング/バイト書込容易
  • DCARSで読み出しマージン拡大
  • バースト選択でアクセス最適化
  • ラップで境界アクセス低減
  • スリープで待機電力を削減
  • 深電源断でシステム電力低減

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ