S70FL01GSDSBHBC10
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S70FL01GSDSBHBC10

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S70FL01GSDSBHBC10
S70FL01GSDSBHBC10
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • インターフェース帯域幅
    80 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • メモリ容量
    1 GBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
S70FL01GSDSBHBC10
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15078)
梱包サイズ 3380
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15078)
梱包サイズ 3380
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
S70FL01GSDSBHBC10は1 Gbitのスタック型SPIフラッシュメモリで、2つのS25FL512Sダイを搭載し、自動車や産業用途の高密度ストレージに対応。SPIマルチI/OとDDR、32ビットアドレッシングをサポートし、コア電圧2.7 V～3.6 V、動作温度-40°C～+125°C（AEC-Q100 Grade 1）。256 kbyte均一セクタ、最低10万回の書き換え、20年データ保持で高信頼性。MirrorBit®技術で厳しい環境統合が可能です。

特長

  • 3.0 V CMOSコア技術
  • SPIマルチI/O DDR対応
  • 32ビット拡張アドレス
  • S25FL-A/K/P SPI互換
  • 多様なREADコマンド：通常、高速、デュアル、クワッド、DDR
  • AutoBootで自動読み出し
  • 512バイトページプログラムバッファ
  • 10万回以上の書換耐久性
  • 20年以上のデータ保持
  • 2048バイトOTP領域
  • 高度なセクタ保護
  • コア2.7-3.6 V、I/O 1.65-3.6 V

利点

  • 3.0 Vコアで低消費電力
  • マルチI/O SPIで転送柔軟
  • 32ビットで大容量対応
  • 互換性で移行容易
  • 多様なREADで速度最適化
  • AutoBootで即時起動
  • 大バッファで高速書込
  • 高耐久で長寿命
  • 20年データ保持で安心
  • OTP領域で安全性向上
  • 柔軟な保護でデータ安全
  • 広い電圧範囲で設計容易

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ