S29GL512S12DHE010
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S29GL512S12DHE010

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S29GL512S12DHE010
S29GL512S12DHE010


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • ページ アクセス時間
    20 ns
  • メモリ容量
    512 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    120 ns
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Military

OPN
S29GL512S12DHE010
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-15537)
梱包サイズ 520
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-15537)
梱包サイズ 520
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
当社の不揮発性 NORフラッシュメモリは、自動車グレードに準拠し、高性能と高信頼性を念頭に設計・製造されています。長期供給プログラムにより、供給継続性とゼロデフェクト方針を保証します。

特長

  • 512 Mbitの密度
  • パラレルインターフェース
  • 120 nsランダムアクセス時間
  • 20 年間のデータ保持
  • 100 回のプログラム/消去サイクル
  • -55〜125 °Cのミリタリー温度範囲
  • 自動エラーチェックおよび訂正 (ECC)
  • 64ボールBGAパッケージ
  • 低ハロゲン、鉛フリー

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ