JANSF2N7624U3CE
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JANSF2N7624U3CE
JANSF2N7624U3CE
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R7
  • ID (@25°C) (最大)
    -22 A
  • QG
    36 nC
  • QPL型番
    2N7624U3CE
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    0.072 Ω
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF (最大)
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5e
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
JANSF2N7624U3CEは、-60 V / -22 Aの耐放射線性PチャネルMOSFETで、セラミックリッドのSMD-0.5e拡張パッケージに収められており、最大300 krad(Si) TIDの電気性能を備えています。IR HiRel R7ロジックレベル パワーMOSFETは、CMOSおよびTTL制御回路を宇宙やその他の放射線環境で電力デバイスに接続するためのシンプルなソリューションを提供します。

特長

  • SEE耐性化
  • 5 V CMOSおよびTTL互換
  • 高速スイッチング
  • 低総ゲート電荷
  • シンプルな駆動要件
  • ハーメチックシール
  • セラミックパッケージ
  • 軽量
  • 表面実装
  • ESD定格: クラス1C (MIL-STD-750、1020)

アプリケーション

宇宙アプリケーション
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ