IRHNKC63C30
Active and preferred

IRHNKC63C30

20 V~650 V対応、DLAおよびESA規格準拠した宇宙アプリケーション向け

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IRHNKC63C30
IRHNKC63C30


製品仕様情報

  • Generation
    R6
  • ID (@25°C) (最大)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    3.1 Ω
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5e

OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
耐放射線、600 V、3.5 A、NチャネルMOSFET、SMD-0.5eセラミック リッド パッケージのR6 - 300 krad (Si) TID、COTS

特長

  • シングルイベント効果 (SEE) 耐性
  • 低RDS (on)
  • 高速スイッチング
  • 低総ゲート電荷
  • 簡単な駆動要件
  • 気密封止
  • セラミック パッケージ
  • 軽量
  • 表面実装
  • ESD定格: クラス2 (MIL-STD-750, 1020)

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ