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生産終了
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RoHS準拠

IRFU3910

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100V Single N-Channel Power MOSFET in an I-Pak package
データシート
パッケージ

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IRFU3910
IRFU3910
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    16 A
  • Ptot max
    52 W
  • Qgd
    14 nC
  • QG (typ @10V)
    29.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    115 mΩ
  • RthJC max
    2.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    IPAK (TO-251)
  • 予算価格€/ 1k
    0.21
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFU3910PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
IPAK
パッケージ名 IPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
IPAK
パッケージ名 IPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard through-hole power

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Drop-in replacement with standard pinout

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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