IRF7832PBF-1

IRF7832PBF-1

30V N-Channel Power MOSFET in a SO-8 package

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IRF7832PBF-1
IRF7832PBF-1


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @4.5V)
    34 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    4.8 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    155 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.39 V~2.32 V
  • VGS(th)
    1.86 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard surface-mount package
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz

利点

  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop-in replacement
  • High performance in low frequency applications
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ