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代替品
生産終了
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IPTC030N12NM3

生産終了
OptiMOS™ power MOSFET 120 V in TOLT package
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代替品

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IPTC030N12NM3
IPTC030N12NM3
代替品
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    238 A
  • IDpuls (最大)
    954 A
  • Ptot (最大)
    375 W
  • QG (typ @10V)
    158 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3 mΩ
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) (範囲)
    2 V ～ 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    48-72 V
  • パッケージ
    TOLT (HDSOP-16)
  • ピン数
    16 Pins
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IPTC030N12NM3ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET 120 V technology meets TO-Leaded top-side cooling package for superior thermal performance. This innovative package combined with the key features of OptiMOS™ technology allows for high power density designs.The TOLT package in addition to its high-current low-profile features, compared typically to the TOLL family, offers the advantage of top-side cooling making it an ideal choice for applications seeking high thermal performance.

特長

  • Top-side cooling
  • Low RDS (on)
  • High current rating of >300 A
  • 175°C operating temperature
  • Sn-free exposed pad

利点

  • High power density
  • Improved thermal management
  • High system efficiency and less paralleling required

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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