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IPTC030N12NM3
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IPTC030N12NM3

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OptiMOS™ power MOSFET 120 V in TOLT package
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IPTC030N12NM3
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    238 A
  • IDpuls (最大)
    954 A
  • Ptot (最大)
    375 W
  • QG (typ @10V)
    158 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3 mΩ
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    48-72 V
  • パッケージ
    TOLT (HDSOP-16)
  • ピン数
    16 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IPTC030N12NM3ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET 120 V technology meets TO-Leaded top-side cooling package for superior thermal performance. This innovative package combined with the key features of OptiMOS™ technology allows for high power density designs.The TOLT package in addition to its high-current low-profile features, compared typically to the TOLL family, offers the advantage of top-side cooling making it an ideal choice for applications seeking high thermal performance.

特長

  • Top-side cooling
  • Low RDS (on)
  • High current rating of >300 A
  • 175°C operating temperature
  • Sn-free exposed pad

利点

  • High power density
  • Improved thermal management
  • High system efficiency and less paralleling required
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ