IPT025N15NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPT025N15NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPT025N15NM6
IPT025N15NM6
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    263 A
  • IDpuls (最大)
    1052 A
  • Ptot (最大)
    395 W
  • QG (typ @10V)
    105 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.5 mΩ
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPT025N15NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
個.
在庫あり

特長

  • 36% lower RDS(on) than OptiMOS™ 5
  • 20% lower FOMg than OptiMOS™ 5
  • Industry's lowest Qrr in 150 V
  • Improved diode softness vs OptiMOS™ 5
  • Tight Vgs(th) spread of +/-500 mV
  • High avalanche ruggedness
  • High current rating
  • Max Tj of 175°C and MSL1

利点

  • Low conduction and switching losses
  • Stable operation with improved EMI
  • Better current sharing when paralleling
  • Superior power handling capability
  • Enhanced robustness
  • Improved system reliability
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ