IPL70R2K1CES

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データシート

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IPL70R2K1CES
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データシート


製品仕様情報

  • Ciss
    163 pF
  • Coss
    14 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    2.3 A
  • ID (最大)
    2.3 A
  • IDpuls (最大)
    6.3 A
  • Ptot (最大)
    22 W
  • Qgd
    4.3 nC
  • QG
    7.8 nC
  • QG (typ @10V)
    7.8 nC
  • RDS (on) (最大)
    2100 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2100 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    5.6 K/W
  • Rth
    5.6 K/W
  • Special Features
    price/performance
  • VDS (最大)
    700 V
  • VGS(th) 範囲
    2.5 V～3.5 V
  • パッケージ
    ThinPAK 5x6
  • ピン数
    5 Pins
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ CE is a price/performance optimized platform enabling to target applications in charger and adapter markets by still meeting the highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

特長

  • Extremely low losses due to very low FOM R DS(on)*Q G and E oss
  • Very high commutation ruggedness
  • Easy to use/drive
  • Pb-free plating, Halogen free mold compound

利点

  • Low conduction losses from large margin between R DS(on) typical to nominal 
  • Low switching losses from optimized output capacitance (E oss) 
  • Optimized EMI to balance switching speed and EMI behavior 
  • Good controllability given the integrated R G

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ