IPDQ60R017S7
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IPDQ60R017S7

Lowest RDS(on) *A 600 V SJ MOSFET in the novel top-side- cooled QDPAK, ideal for low-frequency switching applications & solid-state solutions
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IPDQ60R017S7
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製品仕様情報

  • IDpuls (最大)
    491 A
  • Ptot (最大)
    500 W
  • QG (typ @10V)
    196 nC
  • QG
    196 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    17 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    17 mΩ
  • Special Features
    Slow switching
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 予算価格€/ 1k
    6.88
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

OPN
IPDQ60R017S7XTMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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The 600 V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET family is optimized for low conduction losses and features the lowest RDS(on) in the market when it comes to high-voltage SJ MOSFETs. It comes with an unprecedented RDS(on) x price figure of merit and is a perfect fit for solid-state circuit breakers and relays, PLCs, battery protection, and active bridge rectification in high-power power supplies.

特長

  • Low RDS(on)
  • Compact top-side-cooled QDPAK package
  • Optimized for conduction performance
  • Improved thermal resistance
  • High pulse current capability
  • Kelvin-source for high current switching

利点

  • Minimal conduction losses
  • Increases energy efficiency
  • More compact and easier designs
  • Eliminates or reduces heat sinks
  • Lower TCO or BOM Cost

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ