IMDQ75B040M2H
新規
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMDQ75B040M2H

新規
CoolSiC™ MOSFET bidirectional switch (BDS) 750 V
データシート
パッケージ

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IMDQ75B040M2H
IMDQ75B040M2H
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    61 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    50 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    40 mΩ
  • VDS (最大)
    750 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ BDS G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
IMDQ75B040M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 -
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
Built on the rugged CoolSiC™ G2 technology, the IMDQ75B040M2H integrates two SiC power  switches in a dual‑die common‑drain architecture within a top‑side‑cooled  Q‑DPAK package, simplifying system design and enabling  next‑generation topologies. Designed for modern power grids and  energy systems, it delivers high reliability, efficiency, and low lifetime TCO

特長

  • Two dies in back to back
  • Overload capability 200°C for 100h
  • Ready for native liquid cooling
  • 2 μs Short circuit ruggedness
  • 100% avalanche tested
  • 840 Vbr maximum
  • 2.3 mm package height

利点

  • Enhanced lifetime
  • Lowest system TCO
  • Replaces two Q-DPAK standalone devices
  • 66% lower parasitics over TO247-4
  • Superior compact cell design
  • Better PCB utilization using both side
  • Support conduction and liquid cooling

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ