IJCQ75RM22J1
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RoHS対応
鉛フリー

IJCQ75RM22J1

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QDPAK 上面放熱 (TSC) パッケージを採用したCoolSiC™ 750 V JFETは、超低RDS(on) (1.6～4.1 mΩ) により、電流保護用途での損失を低減し、効率を向上させます。
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IJCQ75RM22J1
IJCQ75RM22J1
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    419 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    2.19 mΩ
  • VDS (最大)
    750 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ JFET
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial

OPN
IJCQ75RM22J1XTMA1
製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
QDPAK 上面放熱 (TSC) パッケージを採用したCoolSiC™ 750 V JFETは、超低RDS(on) (1.6～4.1 mΩ) により導通損失を最小限に抑えます。SiCワイドバンドギャップ技術に基づき、効率的で高性能な電流保護回路を実現します。これにより、幅広い電力システムで発熱と運用コストを削減しつつ、エネルギー効率と信頼性を向上させます。

特長

  • 高電流スイッチングの最適化
  • 逆回復電荷ゼロ (Qrr)
  • 高いアバランシェ耐量
  • 最大過負荷動作Tj = 200℃

利点

  • 堅牢で信頼性の高いシステム
  • 高効率
  • 小型化と高密度化
  • リニアモードの安定性向上
  • .XT熱性能インターコネクト

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ