IGB50N60T
新規設計非推奨
RoHS対応

IGB50N60T

600 V, 50 A IGBT Discrete in TO263 package
データシート
パッケージ

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IGB50N60T
IGB50N60T
データシート


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    1.4 mJ
  • Eon
    1.2 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    90 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    64 A
  • ICpuls (最大)
    150 A
  • Ptot (最大)
    333 W
  • QGate
    310 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    7 Ω
  • td(off)
    299 ns
  • td(on)
    26 ns
  • tf
    29 ns
  • tr
    29 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    2 kHz～20 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™

OPN
IGB50N60TATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
DE,MY

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
DE,MY
Hard-switching 600 V, 50 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

特長

  • Lowest VCEsatdrop
  • Low switching losses
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Very soft, fast recovery diode
  • High ruggedness
  • Temperature stable behavior
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ