IDFW40E65D1E
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IDFW40E65D1E

650 V silicon power diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IDFW40E65D1E
IDFW40E65D1E
個.
データシート

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    120 A
  • IF (最大)
    42 A
  • IF
    40 A
  • IR (最大)
    40 µA
  • Irrm
    11 A
  • Ptot (最大)
    78 W
  • Qrr
    0.57 µC
  • RthJC (最大)
    1.92 K/W
  • trr
    76 ns
  • VF (最大)
    2.1 V
  • VF
    1.7 V
  • コンフィギュレーション
    Single
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス (最大)
    650 V
推奨
OPN
IDFW40E65D1EXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Rapid 1 switching 650 V, 40 A emitter controlled silicon power diode in a TO-247 advanced isolation package for a best cost efficient solution.

特長

  • 650V emitter controlled technology
  • Temperature stable behavior
  • Low forward voltage (VF)
  • Low reverse recovery charge (Qrr)
  • Low reverse recovery current (Irrm)
  • Softness factor >1
  • Maximum junction temperature 175°C
  • 2500 VRMS electrical isolation
  • 100% tested isolated mounted surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified for industrial application

利点

  • no thermal eqiupment needed
  • 35% reduction in assembling time
  • eliminated faults of isolation foil
  • Up to 10°C lower Tc
  • Up to 20% Ioutincrease
  • manufacturing process control
  • Easy paralleling

図

Circuit_digram_IDFW40E65D1E
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ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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