IDFW40E65D1E
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IDFW40E65D1E

650 V silicon power diode in TO-247 package
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IDFW40E65D1E
IDFW40E65D1E
データシート


製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    120 A
  • IF (最大)
    42 A
  • IF
    40 A
  • IR (最大)
    40 µA
  • Irrm
    11 A
  • Ptot (最大)
    78 W
  • Qrr
    0.57 µC
  • RthJC (最大)
    1.92 K/W
  • trr
    76 ns
  • VF (最大)
    2.1 V
  • VF
    1.7 V
  • コンフィギュレーション
    Single
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス (最大)
    650 V

OPN
IDFW40E65D1EXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MX,MY
ウェハ製造国
MY

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX,MY
ウェハ製造国
MY
Rapid 1 switching 650 V, 40 A emitter controlled silicon power diode in a TO-247 advanced isolation package for a best cost efficient solution.

特長

  • 650V emitter controlled technology
  • Temperature stable behavior
  • Low forward voltage (VF)
  • Low reverse recovery charge (Qrr)
  • Low reverse recovery current (Irrm)
  • Softness factor >1
  • Maximum junction temperature 175°C
  • 2500 VRMS electrical isolation
  • 100% tested isolated mounted surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified for industrial application

利点

  • no thermal eqiupment needed
  • 35% reduction in assembling time
  • eliminated faults of isolation foil
  • Up to 10°C lower Tc
  • Up to 20% Ioutincrease
  • manufacturing process control
  • Easy paralleling

図

Circuit_digram_IDFW40E65D1E
Circuit_digram_IDFW40E65D1E
Circuit_digram_IDFW40E65D1E Circuit_digram_IDFW40E65D1E Circuit_digram_IDFW40E65D1E
×
modalImg
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ