CY7C1061GN18-15ZSXI
Active and preferred
RoHS対応

CY7C1061GN18-15ZSXI

データシート
パッケージ

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CY7C1061GN18-15ZSXI
CY7C1061GN18-15ZSXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    1.65 V～2.2 V
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～2.2 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    15 ns

推奨
OPN
CY7C1061GN18-15ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 108
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 108
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1061GN18-15ZSXIは16-Mbit（1M×16）の高速非同期CMOS SRAMで、最大アクセス時間15 ns。電源は1.65 V～2.2 Vで、OE/WE制御とBLE/BHEによるバイト書き込みに対応。CE自動パワーダウンでスタンバイ電流を低減（ISB2 typ 20 mA、max 30 mA）、動作ICCは100 MHzでtyp 90 mA、max 110 mA。鉛フリー54ピンTSOP II（工業温度）で提供。

特長

  • 1Mワード×16-bit SRAM
  • tAAアドレス10 ns/15 ns
  • tRC読出し10 ns/15 ns
  • tDOE OE 5 ns/8 ns
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • VDRデータ保持1.0 Vまで
  • データ保持電流 最大30 mA
  • 100 MHzでICC 90 mA typ
  • 非選択時オートパワーダウン
  • TTL互換の入出力レベル
  • デュアルCE（CE1/CE2）
  • 2バイト有効（BLE/BHE）

利点

  • 16-bitバスで帯域を拡大
  • 10 ns級読出しで低遅延
  • 高速OEでバス起動が迅速
  • 2.2-3.6 Vで電源設計容易
  • 1.0 V保持で待機電力低減
  • 非動作時の消費を低減
  • TTL互換で接続が容易
  • CE1/CE2で拡張が簡単
  • バイト有効で8-bit書込み可
  • 低リークで低電力待機に有利
  • High-Zでバス競合を防止
  • 明確なタイミングで設計短縮

アプリケーション

産業用オートメーション
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ