CY62167EV30LL-45BVI
Active and preferred

CY62167EV30LL-45BVI

データシート
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CY62167EV30LL-45BVI
CY62167EV30LL-45BVI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62167EV30LL-45BVI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
P-VFBGA-48
パッケージ名 BGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
P-VFBGA-48
パッケージ名 BGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
CY62167EV30LL-45BVIは16-MbitのCMOS非同期SRAMで、1M×16または2M×8に構成でき、BLE/BHEのバイトイネーブルで8ビット書き込みに対応します。2.2 V～3.6 V、–40°C～+85°Cで動作し、アクセス時間45 nsをサポートします。動作電流は1 MHzで標準7 mA、非選択時は自動パワーダウンでスタンバイ標準1.5 µA（最大12 µA）です。

特長

  • 16 Mbit：1M×16/2M×8
  • 読/書込サイクル45 ns
  • OEアクセス最大22 ns
  • 単電源2.2 V～3.6 V
  • 非選択で自動パワーダウン
  • 1 MHz時動作7 mA typ
  • スタンバイ1.5 µA typ
  • スタンバイ最大12 µA
  • VCC 1.5 Vでデータ保持
  • 保持電流10 µA max
  • 入出力容量10 pF max
  • OE/CE/BHE/BLEで3ステート

利点

  • x16/x8バス構成に柔軟対応
  • 45 nsで高速CPUに対応
  • 22 ns OEで読出し遅延低減
  • 2.2-3.6 Vで3 V系に適合
  • 自動PDで消費電力を削減
  • 7 mA typで動作電力を低減
  • 1.5 µA待機で電池寿命向上
  • 12 µA maxで電力設計が容易
  • 1.5 V保持でスリープも安心
  • 10 µA maxで長時間バックアップ
  • 10 pFでタイミング設計容易
  • 3ステートでバス共有が容易

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ