CY62157G30-45BVXA
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157G30-45BVXA

データシート
パッケージ

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CY62157G30-45BVXA
CY62157G30-45BVXA
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • アラーム
    N
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リアルタイムクロック
    N
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 16
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62157G30-45BVXA
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
CY62157G30-45BVXAはAEC-Q100適合の8-Mbit（512K×16）CMOS SRAMで、単一ビット訂正用ECCを内蔵します。-40°C～+85°Cで動作し、電源2.2 V～3.6 V（3 V typ）、45 nsアクセスを実現。スタンバイ電流は5 µA typ（35 µA max）、自動パワーダウン1.4 µA typ、1.5 Vデータ保持に対応。Pb-free 48ボールVFBGA（6×8×1.0 mm）。

特長

  • 8-Mbit SRAM（512K×16）
  • ECCで1ビット誤り訂正
  • 45 ns/55 ns読書き周期
  • VCC 1.65-2.2/2.2-3.6 V
  • スタンバイtyp 5 µA
  • スタンバイmax 35 µA
  • 16ビットI/Oバス(I/O0-15)
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • デュアルCE入力CE1/CE2
  • 非選択/OE HighでHi-Z
  • 入出力リーク±1 µA
  • 1.5 Vデータ保持対応

利点

  • ECCでデータ破損を低減
  • 45 nsでCPU読出し高速化
  • 2つのVCCで電源流用容易
  • 5 µA待機で電池寿命向上
  • 35 µA maxで電力見積容易
  • 16ビットで帯域を向上
  • バイト書込みで転送回数削減
  • デュアルCEでバス共有が容易
  • Hi-Z出力でバス競合を回避
  • ±1 µAで静止損失を低減
  • 1.5 V保持で状態維持
  • OE/WE制御で設計を簡素化
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ