CY62146EV30LL-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応

CY62146EV30LL-45ZSXI

データシート
パッケージ

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CY62146EV30LL-45ZSXI
CY62146EV30LL-45ZSXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62146EV30LL-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62146EV30LL-45ZSXIは4-Mbit（256K×16）のCMOSスタティックRAMで、45 nsスピード品種の電池駆動向けデバイスです。2.2 V～3.6 V、–40°C～+85°Cで動作し、CE/OE/WEとBLE/BHEのバイトイネーブルにより8ビット/16ビットアクセスに対応します。非選択時のCE自動パワーダウンで電流を低減し、ICCは1 MHzで3.5 mA typ、fmaxで20 mA max、スタンバイは2.5 µA typ（7 µA max）。Pbフリー44ピンTSOP II。

特長

  • 256K×16 CMOS SRAM構成
  • 読書込みサイクル45 ns
  • OE→データ有効22 ns
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • 1 MHz時ICC典型3.5 mA
  • スタンバイ典型2.5 µA
  • スタンバイ最大7 µA
  • CE Highで自動パワーダウン
  • データ保持電圧VDR=1.5 V
  • 保持電流最大8.8 µA
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • 非選択/OEで出力3ステート

利点

  • 16ビットSRAMでMCUバス適合
  • 45 nsで高速コード/データ処理
  • OE22 nsで読出し切替短縮
  • 2.2～3.6 Vで3 V電源に対応
  • 動作3.5 mAで電池寿命を延長
  • 待機2.5 µAでスリープ損失低減
  • 待機最大7 µAで電力予算が容易
  • CE電源断で消費電力を削減
  • 保持1.5 Vでバックアップ時も保持
  • 保持最大8.8 µAで小電池に有利
  • バイト制御で書込み電力を低減
  • 3ステートでバス共有を簡素化

アプリケーション

産業用オートメーション
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ