2ED2103S06F
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

2ED2103S06F

650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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2ED2103S06F
2ED2103S06F
個.
データシート

製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8 V
  • VCC UVLO (Off)
    8 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • コンフィギュレーション
    Half-Bridge
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    PG-DSO-8
  • 伝搬遅延オフ
    90 ns
  • 伝搬遅延オン
    90 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Source)
    0.29 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.7 A
  • 製品名
    2ED2103S06F
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
推奨
OPN
2ED2103S06FXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
650 V high speed half-bridge gate driver with typical 0.29 A source and 0.7 A sink currents in DSO-8 package for driving power MOSFET s and IGBT s.Based on our SOI-technology , the 2ED2103S06F has excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin. With no parasitic thyristor structures present in the device, no parasitic latch up can occur over all temperature and voltage conditions.

特長

  • Op. voltages (VS node) < + 650 V
  • Neg. VS transient immunity of 100 V
  • Integr. ultra-fast bootstrap diode
  • 90 ns propagation delay
  • Cross-conduction prevention logic
  • Internal 520 ns dead time
  • HIN, /LIN logic input
  • Floating channel for bootstrap op.
  • Independent UVLO for both channels
  • Logic op. up to –11 V on VS Pin
  • Neg. voltage tol. on inputs of –5 V
  • Maximum supply voltage of 25 V

図

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