新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

1EDC20I12AH

1200 V single high-side gate driver IC with UL certified galvanic isolation, short circuit clamping and separate sink/source outputs
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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1EDC20I12AH
1EDC20I12AH
EA.
データシート

Product details

  • I q 1 max
    1 mA
  • I q 2 max
    2 mA
  • PD アウト
    400 mW
  • RDSON_H(最大)
    4.3 Ω
  • RDSON_H(標準)
    2.25 Ω
  • RDSON_L (最大)
    5 Ω
  • RDSON_L(標準)
    2.25 Ω
  • RthJA
    165 K/W
  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VBS UVLO (Off)
    11.1 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.75 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • 伝搬遅延オフ
    300 ns
  • 伝搬遅延オン
    300 ns
  • 入力 Vcc
    3.1 V to 17 V
  • 出力電流 (Source)
    4 A
  • 出力電流 (Sink)
    3.5 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    1200 V
OPN
1EDC20I12AHXUMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EiceDRIVER™ 1200 V high side Gate Driver IC with typical 4.0 A source and 3.5 A sink currents in a PG-DSO-8 package with CT technology for 600V/1200V IGBT Modules .For higher isolation rating, higher current, shorter propagation delay, check out our X3 Compact family , 1ED3120MU12H . The DSO-8 150 mil narrow body version with great price performance ratio is also available: 1EDI20I12AF

機能

  • Recognized under UL1577
  • With VISO= 3000 V for 1 s
  • 1200V coreless Transformer
  • 2 A rail-to-rail outputs
  • 300 mil wide-body package
  • 8 mm creepage distance
  • Separate source/sink outputs

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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