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IRFB23N20D
生産終了
生産終了
RoHS対応

IRFB23N20D

生産終了
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
データシート
パッケージ

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IRFB23N20D
IRFB23N20D
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    24 A
  • Ptot (最大)
    170 W
  • Qgd
    27 nC
  • QG (typ @10V)
    57 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    100 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.9 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRFB23N20DPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ