インフィニオン、TO263-7パッケージの次世代1200 V CoolSiC™ トレンチMOSFETで eモビリティを後押し

マーケットニュース

23/06/2023

2023年6月13日、ミュンヘン (ドイツ)

 

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は車載アプリケーション向けにTO263-7パッケージの新世代の1200 V CoolSiC™ MOSFETを発表しました。この車載グレードの新世代の炭化ケイ素 (SiC) MOSFETは、車載充電 (OBC) およびDC-DCアプリケーションにおいて、高電力密度と高効率、双方向充電を実現し、システムコストを大幅に削減します。

 

この1200 V CoolSiC™ファミリーは、第1世代と比較してスイッチング損失を25%低減することで、クラス最高のスイッチング性能を実現しています。スイッチング性能の向上により、高周波動作が可能になり、システムサイズの縮小と電力密度の向上につながります。4 V以上のゲートソース間閾値電圧 (VGS(th))と非常に低いCrss/Ciss比により、セルフターンオンのリスクなしにVGS = 0 Vでの信頼性の高いターンオフが達成されます。これにより、ユニポーラ駆動が可能となり、システムのコストと複雑さを低減することができます。さらに、低オン抵抗 (RDS(on)) を特徴とし、－55 ℃～175 ℃の全温度範囲において導通損失を低減します。

 

先進的な拡散はんだ付けチップマウント技術 (.XTテクノロジー) により、パッケージの熱容量が大幅に向上し、第1世代と比較してSiC MOSFETの接合部温度が25%低下しました。

さらに、MOSFETの沿面距離は5.89 mmで、800 Vのシステム要件を満たし、コーティングの手間を軽減しています。インフィニオンは、現在市販されているTO263-7パッケージの唯一の9 mΩタイプなど、多様なアプリケーションの要求に応えるために、さまざまなRDS (on) の選択肢を提供しています。

 

KOSTAL 、 車載充電器プラットフォームにCoolSiC™ MOSFETを採用

KOSTAL Automobil Elektrik社は、中国OEM向けの次世代車載充電器 (OBC) プラットフォームに、インフィニオンの最新のCoolSiC™ MOSFETを織り込んだ設計を行いました。KOSTALは、車載充電システムの世界的なリーディングサプライヤーです。同社の標準的なプラットフォームアプローチにより、さまざまなOEMの要件や世界的な規制に対応した安全で信頼性の高い、高効率な製品を世界中に提供しています。

 

インフィニオンの車載用ハイパワー チップおよびディスクリート担当バイスプレジデントであるロバート ヘルマンは「脱炭素化はこの10年の大きな課題であり、お客様とともに自動車の電動化を実現する大きなモチベーションです。そのため、KOSTALとのパートナーシップを非常に誇りに思っています。このプロジェクトは、最先端のSiC技術によって実現される車載充電器市場において、インフィニオンの標準的な製品ポートフォリオの強力な位置づけを明確化するものです」と述べています。

 

KOSTAL ASIAのバイスプレジデント兼技術エグゼクティブ マネージャーであるShen Jianyu氏は「KOSTAL社の次世代OBCプラットフォームの主要部品として、インフィニオンの新しい1200 V CoolSiC™ Trench MOSFETは、高電圧定格と適格な堅牢性を備えています。これらの利点は、当社の最先端の技術ソリューション、コストの最適化、大規模な市場投入を実現するための、互換性のある設計を作成する上で重要となります」と述べています。

 

供給状況について

TO263-7パッケージの1200 V CoolSiC™ MOSFETは現在発売中です。詳細については、 www.infineon.com/ATV-1200v-coolsic-mosfetをご覧ください。

 

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1200V CoolSiC MOSFET Product

1200V CoolSiC MOSFET Product

Infineon presents its new generation of 1200 V CoolSiC™ MOSFETs in TO263-7 for automotive applications, offering high power density and efficiency while reducing system costs. With improved switching performance and low on resistance, these MOSFETs enable smaller system sizes, increased power density, and reliable operation in extreme temperatures.

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Information Number : INFATV202306-117j