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650V TRENCHSTOP™ 5 ディスクリートIGBT テクノロジーは、ハードスイッチングアプリケーションに比類のない効率性能を提供し、クラス最高のIGBTを提供します。高効率、システムコストの削減、信頼性の向上が求められる場合、TRENCHSTOP™ 5が最適な選択肢です。TRENCHSTOP™ 5 IGBT は、スイッチング損失と導通損失を大幅に低減します。

  • スイッチング/導通損失の低減
  • 650 V のブレークスルー電圧
  • 高速スイッチング
  • 低いCOES/EOSS

製品

概要

650 V TRENCHSTOP™ 5 H5ファミリーは、無停電電源 (UPS)、太陽光発電、インバーター溶接機、ハードスイッチングアプリケーションなどのアプリケーションのPFC およびPWMトポロジー向けに最適化されています。

TRENCHSTOP™ 5 H5製品ファミリーは、耐圧650 VクラスのインフィニオンのHighSpeed 3ファミリーと比較して、Qg 係数が2.5% 低く、スイッチング損失を半減、VCE(sat)が200mV 低減されるなど、多くの特別な機能を提供します。さらに、製品はインフィニオンのRapid Si ダイオード技術と共同パックされており、COES / EOSSが低く、穏やかな正の温度係数VCE(sat) を持ち、Vf の温度安定性を提供します。

TRENCHSTOP™ 5 H5製品の利点は、クラス最高の効率により、ジャンクション温度とケース温度が低くなり、デバイスの信頼性が向上し、信頼性を損なうことなくバス電圧が50 V 上昇し、電力密度の高い魅力的な設計が得られることです。

650 V TRENCHSTOP™ 5 H5ファミリーは、無停電電源 (UPS)、太陽光発電、インバーター溶接機、ハードスイッチングアプリケーションなどのアプリケーションのPFC およびPWMトポロジー向けに最適化されています。

TRENCHSTOP™ 5 H5製品ファミリーは、耐圧650 VクラスのインフィニオンのHighSpeed 3ファミリーと比較して、Qg 係数が2.5% 低く、スイッチング損失を半減、VCE(sat)が200mV 低減されるなど、多くの特別な機能を提供します。さらに、製品はインフィニオンのRapid Si ダイオード技術と共同パックされており、COES / EOSSが低く、穏やかな正の温度係数VCE(sat) を持ち、Vf の温度安定性を提供します。

TRENCHSTOP™ 5 H5製品の利点は、クラス最高の効率により、ジャンクション温度とケース温度が低くなり、デバイスの信頼性が向上し、信頼性を損なうことなくバス電圧が50 V 上昇し、電力密度の高い魅力的な設計が得られることです。

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