インフィニオン、1200V の SiC MOSFET で CoolSiC™ M1H 技術ポートフォリオを 拡張し、強化された機能で最高のシステム効率を実現

テクノロジーニュース

2022/04/13

2022 年 4 月 13 日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、新しい CoolSiC™技術である CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H を発表します。この先進的な炭化ケイ素 (SiC) チップは、.XT 技術を用いたディスクリー ト パッケージとともに、好評の Easy モジュール ファミリーにて、幅広く展開されるポートフォリオに実装されます。 M1H チップは高い柔軟性を備えており、太陽光発電システム、急速 EV 充電、エネルギー貯蔵システム、広範 囲の産業用アプリケーションなどの用途に最適です。

最新の CoolSiC™の技術の進歩により、ゲート動作ウィンドウが大幅に拡大し、オン抵抗が改善されます。同時 に、大きなゲート動作ウィンドウにより、スイッチング周波数が高い場合でも制約を受けずにドライバーやレイア ウトに起因するゲート電圧のピークに対して高い堅牢性を実現します。M1H チップ技術で採用されたハウジン グ技術とパッケージバリエーションにより、設計においるアプリケーションの性能向上に向けた高密度と多くの 選択肢を提供します。

Easy モジュールにより高電力密度を実現 M1H は、好評の Easy シリーズに搭載され、Easy1B、2B モジュールをさらに進化させます。また、1200V の新 型 MOSFET「CoolSiC™」を搭載した Easy 3B モジュールの新製品を追加いたします。新しいチップサイズを適 用することにより、柔軟性を最大化し、最も広範な産業ポートフォリオをカバーします。また M1Hチップは、モジ ュールのオン抵抗を大幅に改善することができる、より信頼性が高く、高効率なデバイスです。 さらに、過渡的な最大ジャンクション温度は 175℃となり、過負荷耐性が向上し、より高い電力密度と故障事象 のカバーが可能になります。M1H は、先代の M1 に比べ、内蔵 RG が小さく、スイッチング動作の最適化が簡 単に行えるようになりました。ダイナミック動作は M1H チップで維持されています。

超低オン抵抗のディスクリート パッケージ CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H ポートフォリオには、Easy モジュール ファミリーに加え、超低オン抵抗の 7mΩ、14mΩ、20mΩ の TO247-3、および TO247-4 のディスクリート パッケージが新たに加わりました。 新しい デバイスは、ゲート ソース間電圧を最大-10V まで下げたゲート電圧のオーバーシュートとアンダーシュート、ア バランシェ耐量、および短絡耐量により、特に設計を容易にします。 インフィニオンの.XT 接合技術は、以前 D2PAK-7L パッケージでリリースされ、今回は TO パッケージに実装さ れています。放熱性能は、標準的な接合と比較して放熱率 30%以上向上しています。その結果、このような熱 的なメリットを活かして最大熱伝導率を 15%向上させることができます。また、スイッチング周波数の向上にも活 用でき、電気自動車 (EV) の充電システム、エネルギー貯蔵システムや太陽光発電システムなどで、電力密度 の向上と受動部品を減らすことによるシステムコストの削減ができます。システムの動作条件を変えることな く、.XT は SiC MOSFET のジャンクション温度を低下させ、大幅にシステムの寿命とパワーサイクル性能を向上 させます。これはサーボドライブなどのアプリケーションでは鍵となる要求です。 新しい 1200V CoolSiC™ MOSFET M1H の追加により、SiC ベースのアプリケーションの最適化の可能性を広 げ、グローバルな世界においてクリーンエネルギーとエネルギー効率化を推進します。

供給体制について モジュールおよびディスクリート品とにも、現在ご注文いただけます。詳細については CoolSiC™ MOSFET のサイトをご覧ください。 インフィニオンのエネルギー効率への貢献については、インフィニオンの「エネルギー効率」の Web サイトでご 覧いただけます。

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coolsic mosfet 1200 v easy 3b

coolsic mosfet 1200 v easy 3b

Infineon’s CoolSiC™ M1H 1200 V SiC MOSFETs will be integrated into the popular Easy family to further improve the Easy 1B and 2B modules. In addition, a new product which enhances the Easy 3B module will also be launched. The roll-out of new chip sizes maximizes flexibility and ensures the broadest industrial portfolio. With the M1H chip, the on-resistance of the modules can be significantly improved, making the devices more reliable and efficient.

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coolsic mosfet 1200 v to247 4

coolsic mosfet 1200 v to247 4

Infineon’s CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H portfolio includes TO247-3 and TO247-4 discrete packages with new ultra-low on-resistances of 7 mΩ, 14 mΩ and 20 mΩ. They are easy to design-in, especially due to the gate voltage overshoots and undershoots with the new maximum gate-source voltage down to -10 V. The discrete devices feature the .XT interconnection technology which leads to a thermal benefit that can be used to increase the output power up to 15 percent.

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Information Number : INFIPC202204-069j