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概要

インフィニオンの750 V CoolSiC™シリコンカーバイドMOSFETディスクリートは、寄生ターンオン効果に対する最高レベルの耐性と成熟したゲート酸化膜技術を提供します。トーテムポール、ANPC、三相整流回路 (Vienna Rectifier)、FCCなどのハードスイッチングトポロジーで優れた性能を実現します。さらに、G2での出力容量 (Coss) が大幅に削減されたことにより、サイクロコンバーター、CLLC、DAB、LLCなどのソフトスイッチングトポロジーにおいて高いスイッチング周波数で動作できるようになりました。信頼性、電力密度、効率において厳しい要件が求められるオンボードチャージャー、DC-DCコンバーター、DC-ACコンバーター、AIサーバー、太陽光発電インバーター、EV充電などのアプリケーションに最適です。Q-DPAKは、SiC固有の高速スイッチング速度を活かすと同時に、約20 Wの電力損失容量を保証します。

主な機能
  • スルーホール パッケージおよびSMDパッケージ
  • ケルビンソース端子
  • 車載デバイス向けの AEC Q101準拠、産業用デバイス向けの JEDEC規格も上回る性能
  • RDS(on) 8 mΩ〜140 mΩおよびパッケージで細分化された製品ラインナップ
アプリケーション
EV電力変換とOBC
EV充電
サーバー電源ユニット (PSU)
太陽光発電

製品

製品

概要

750 V CoolSiC™車載用MOSFETの詳細

最高の価格性能比が求められる2レベルおよび3レベルのトポロジーで最大600 VDC_LINK電圧の電力変換用

詳細はこちら
750 VシリコンカーバイドMOSFETの利点
  • 非常に堅牢な750 Vテクノロジー、100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
  • 最高クラスのRDS(on) × Qfr
  • 優れたRDS(on) × QossおよびRDS(on) × QG
  • 低Crss/Cissと高VGS(th)の独自の組み合わせ
  • インフィニオン独自のダイアタッチ技術
  • ドライバーソースピンが利用可能
ディスクリート パッケージのCoolSiC MOSFETの詳細
Q-DPAK上面放熱パッケージ

上面放熱 (TSC) デバイスは、プリント回路基板 (PCB) にはんだ付けされた表面実装パワーデバイスです。半導体ダイによって生成された熱は、パッケージの上部から取り付けられたコールドプレートに取り込まれます。
TSC パワーパッケージは、熱性能と電気性能を向上させる有望なソリューションです。 電力密度を高め、製造工数を削減するのにも役立ちます。

750 V CoolSiC™車載用MOSFETの詳細

最高の価格性能比が求められる2レベルおよび3レベルのトポロジーで最大600 VDC_LINK電圧の電力変換用

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750 VシリコンカーバイドMOSFETの利点
  • 非常に堅牢な750 Vテクノロジー、100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
  • 最高クラスのRDS(on) × Qfr
  • 優れたRDS(on) × QossおよびRDS(on) × QG
  • 低Crss/Cissと高VGS(th)の独自の組み合わせ
  • インフィニオン独自のダイアタッチ技術
  • ドライバーソースピンが利用可能
ディスクリート パッケージのCoolSiC MOSFETの詳細

Q-DPAK上面放熱パッケージ

上面放熱 (TSC) デバイスは、プリント回路基板 (PCB) にはんだ付けされた表面実装パワーデバイスです。半導体ダイによって生成された熱は、パッケージの上部から取り付けられたコールドプレートに取り込まれます。
TSC パワーパッケージは、熱性能と電気性能を向上させる有望なソリューションです。 電力密度を高め、製造工数を削減するのにも役立ちます。

ドキュメント

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