750 V シリコンカーバイド MOSFET

750 V CoolSiC™ MOSFET 車載用および産業用グレード、オン抵抗 4 mΩ～140 mΩ

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概要

インフィニオンの750 V CoolSiC™ シリコンカーバイドMOSFETディスクリートは、寄生ターンオンに対するクラス最高レベルの堅牢性と成熟したゲート酸化膜技術により、トーテムポール、ANPC、Vienna Rectifier、FCCなどのハードスイッチング トポロジーで卓越した性能を実現します。G2では出力容量 (Coss) が大幅に低減されているため、サイクロコンバーター、CLLC、DAB、LLCなどのソフトスイッチング トポロジーにおいて、より高いスイッチング周波数で動作できます。オンボード チャージャー、DC-DCコンバーター、DC-ACコンバーターに加え、AIサーバー、ソーラー インバーター、EV充電など、信頼性、電力密度、効率の面で厳しい要件が求められるアプリケーションに最適です。Q-DPAKにより、SiC本来の高速スイッチング速度を活用できると同時に、約20 Wの電力損失処理能力を確保できます。

主な特長

  • スルーホールおよびSMDパッケージ
  • 内蔵Kelvinソース
  • 車載グレード デバイス向けのAEC-Q101認定、および産業用グレード デバイス向けのJEDEC認定を超える
  • RDS (on) : 4 mΩ～140 mΩ の細かなラインナップとパッケージ

製品

概要

750 VシリコンカーバイドMOSFETの利点

  • 非常に堅牢な750Vテクノロジー、100%アバランシェテスト済み
  • クラス最高水準のRDS(on)×Qfr
  • 優れたRDS(on)×QossおよびRDS(on)×QG
  • 低Crss/Cissと高VGS(th)のユニークな組み合わせ
  • インフィニオン独自のダイアタッチ技術
  • ドライバーソースピンが利用可能
ディスクリート パッケージ内のCoolSiC MOSFETの詳細

Q-DPAK上面放熱パッケージ

上面放熱 (TSC) デバイスは、プリント基板 (PCB) にはんだ付けされる表面実装型パワー デバイスです。半導体ダイから発生する熱は、パッケージの上部からコールドプレートに放熱されます。
TSCパワー パッケージは、熱性能と電気性能を向上させるためのソリューションです。電力密度の向上と製造工程の簡素化にも役立ちます。

750 VシリコンカーバイドMOSFETの利点

  • 非常に堅牢な750Vテクノロジー、100%アバランシェテスト済み
  • クラス最高水準のRDS(on)×Qfr
  • 優れたRDS(on)×QossおよびRDS(on)×QG
  • 低Crss/Cissと高VGS(th)のユニークな組み合わせ
  • インフィニオン独自のダイアタッチ技術
  • ドライバーソースピンが利用可能
ディスクリート パッケージ内のCoolSiC MOSFETの詳細

Q-DPAK上面放熱パッケージ

上面放熱 (TSC) デバイスは、プリント基板 (PCB) にはんだ付けされる表面実装型パワー デバイスです。半導体ダイから発生する熱は、パッケージの上部からコールドプレートに放熱されます。
TSCパワー パッケージは、熱性能と電気性能を向上させるためのソリューションです。電力密度の向上と製造工程の簡素化にも役立ちます。

ドキュメント

設計リソース

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