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概要

インフィニオンの400 V / 440 V CoolSiC™シリコンカーバイドMOSFETディスクリートは、AIサーバー電源、産業用および医療用電源装置、オーディオ、ソーラーなどのアプリケーション向けに特化して開発され、650 VディスクリートMOSFETに代わるコストパフォーマンスを実現しています。最高の価格性能比が必要な2レベルおよび3レベルトポロジーで最大600 VDC_LINK電圧の電力変換用です。

主な機能
  • 最大400 V / 440 VのV(BR)DSS
  • オン抵抗: 11 mΩ〜45 mΩ
  • TOLLおよびD²PAK-7 SMD パッケージ
  • TO247およびTO247 4ピンTHDパッケージ
  • 低RDS(on) 温度係数
  • 低 Qgd、Qoss、Qfr、Eoss
  • 高いスルーレート制御とCoss直線性
  • ユニポーラゲートの駆動が容易
  • ゲート閾値電圧VGS(th) = 4.5 V
  • 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
アプリケーション
オーディオアンプ ソリューション
バッテリーマネージメントシステム (BMS)
モーター制御
サーバー電源ユニット (PSU)
再生可能エネルギー

製品

製品

概要

ディスクリートCoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFETディスクリートは、パワー エレクトロニクス アプリケーションで優れた効率と信頼性を実現に特化して設計されています。これらのデバイスは400 Vから2000 Vでご提供しており、7 mΩから1000 mΩのオン抵抗値を特長としています。また、力率改善回路、DC-DCコンバータ、DC-ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジに最適化されています。内蔵の高速フリーホイール ダイオードにより、ダイオード チップを追加することなくハード スイッチングが可能になり、回路設計を簡素化できます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、システムの複雑さを軽減し、電力密度を高め、最高の効率を実現し、冷却の手間を削減します。

ディスクリート パッケージのCoolSiC MOSFETの詳細
650 V CoolSiC™ MOSFET

最高の価格性能比が求められる2レベルおよび3レベルトポロジで、最大600 VDC_LINK電圧の電力変換用。

ディスクリートCoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFETディスクリートは、パワー エレクトロニクス アプリケーションで優れた効率と信頼性を実現に特化して設計されています。これらのデバイスは400 Vから2000 Vでご提供しており、7 mΩから1000 mΩのオン抵抗値を特長としています。また、力率改善回路、DC-DCコンバータ、DC-ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジに最適化されています。内蔵の高速フリーホイール ダイオードにより、ダイオード チップを追加することなくハード スイッチングが可能になり、回路設計を簡素化できます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、システムの複雑さを軽減し、電力密度を高め、最高の効率を実現し、冷却の手間を削減します。

ディスクリート パッケージのCoolSiC MOSFETの詳細

650 V CoolSiC™ MOSFET

最高の価格性能比が求められる2レベルおよび3レベルトポロジで、最大600 VDC_LINK電圧の電力変換用。

ドキュメント

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