これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

概要

インフィニオンの1700V CoolSiC™シリコンカーバイドMOSFETディスクリートは、フライバックトポロジーに最適化されており、600Vから1000VまでのDCリンク電圧に接続された補助電源に、さまざまな電源アプリケーションで使用できます。

主な機能
  • 最大1700 V
  • 最大1000mΩのオン抵抗定格。
  • フライバックトポロジー向けに最適化
  • 極めて低いスイッチング損失
  • 12V/0Vのゲート-ソース間電圧はフライバックコントローラに対応
  • EMI最適化のための完全に制御可能なdV/dt
  • TO-247-3高沿面距離クリアランスパッケージとTO-263-7(D²PAK)パッケージの2種類のパッケージバリエーションがあります。
  • XT相互接続技術(TO-247-3 HCCポートフォリオ)
アプリケーション
EV充電
DIN レール電源ソリューション
産業用モータードライブおよび制御
汎用インバーター (GPD)
エネルギー貯蔵システム
無停電電源装置 (UPS)
3相ストリングインバータソリューション

製品

製品

概要

650 V CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 1700Vには、TO-247-3-HCCパッケージとTO-263-7パッケージの2つのパッケージバリエーションがあります。この製品ファミリは、さまざまな電力変換アプリケーションで、600 V から 1000 V までの DC リンク電圧に接続されたシングルエンド フライバック補助電源に適しています。主な特長は、フライバックコントローラによるダイレクトドライバビリティとゲートドライバICの不要です。

補助電源は、お好みに応じてTO-247-3またはSMDパッケージで実装できます。TO-247パッケージの特長の1つは、Si MOSFETベースのソリューションの簡単なプラグアンドプレイです。

TO-263-7パッケージは、ヒートシンクを必要とせずに簡単な組み立てをサポートします。これにより、部品点数が最小限に抑えられ、システムコストが削減されます。

ディスクリートCoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFETディスクリートは、パワーエレクトロニクスアプリケーションで優れた効率と信頼性を実現するように特別に設計されています。これらのデバイスは400V〜2000Vで入手可能で、7mΩ〜1000mΩのオン抵抗値を特長としています。これらは、力率改善回路、DC-DCコンバータ、DC-ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジに最適化されています。内蔵の高速フリーホイール ダイオードにより、ダイオード チップを追加することなくハード スイッチングが可能になり、回路設計が簡素化されます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、システムの複雑さを軽減し、電力密度を高め、最高の効率を実現して冷却作業を削減します。

ディスクリートハウジング内のCoolSiC MOSFETの詳細

650 V CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 1700Vには、TO-247-3-HCCパッケージとTO-263-7パッケージの2つのパッケージバリエーションがあります。この製品ファミリは、さまざまな電力変換アプリケーションで、600 V から 1000 V までの DC リンク電圧に接続されたシングルエンド フライバック補助電源に適しています。主な特長は、フライバックコントローラによるダイレクトドライバビリティとゲートドライバICの不要です。

補助電源は、お好みに応じてTO-247-3またはSMDパッケージで実装できます。TO-247パッケージの特長の1つは、Si MOSFETベースのソリューションの簡単なプラグアンドプレイです。

TO-263-7パッケージは、ヒートシンクを必要とせずに簡単な組み立てをサポートします。これにより、部品点数が最小限に抑えられ、システムコストが削減されます。

ディスクリートCoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFETディスクリートは、パワーエレクトロニクスアプリケーションで優れた効率と信頼性を実現するように特別に設計されています。これらのデバイスは400V〜2000Vで入手可能で、7mΩ〜1000mΩのオン抵抗値を特長としています。これらは、力率改善回路、DC-DCコンバータ、DC-ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジに最適化されています。内蔵の高速フリーホイール ダイオードにより、ダイオード チップを追加することなくハード スイッチングが可能になり、回路設計が簡素化されます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、システムの複雑さを軽減し、電力密度を高め、最高の効率を実現して冷却作業を削減します。

ディスクリートハウジング内のCoolSiC MOSFETの詳細

ドキュメント

ドキュメント