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概要

インフィニオンの CoolSiC™ シリコンカーバイドMOSFET 650 Vディスクリートは、サーバーSMPS、ESS、ソーラーインバーター、EV充電、UPS、その他の産業用SMPSなどのアプリケーションに特化して開発されました。

主な機能
  • ゲート酸化膜の優れた信頼性を備えた最先端のトレンチ技術
  • 誤ターンオンに対する協力な耐性
  • 高いアバランシェ電流耐量
  • G2の駆動電圧範囲の拡大 (-7 V〜+23 V 静止時)
  • .XT相互接続パッケージ技術
アプリケーション
通信インフラ向けのAC-DCコンバーター
サーバー電源ユニット (PSU)
太陽光発電

製品

製品

概要

650 VシリコンカーバイドMOSFETの技術情報

インフィニオンのCoolSiC™シリコンカーバイドMOSFET 650 Vディスクリートデバイスは、寄生ターンオン効果に対する優れた耐性と成熟したゲート酸化膜技術を提供します。トーテムポールPFC、三相整流回路 (Vienna Rectifier)、ANPCなどのハードスイッチング トポロジーで優れた性能を発揮します。さらに、G2で出力容量 (Coss) が大幅に削減されたことにより、CLLC、DAB、LLCなどのソフトスイッチングトポロジーにおいて、より高いスイッチング周波数で動作できるようになりました。その結果、3 kWから12 kWまでのサーバーおよびAI PSUの全負荷で最大100 W/in3の電力密度と約97.5%の全体効率を実現すると同時に、部品表 (BOM) を最小限に抑えます。

650 VシリコンカーバイドMOSFETの詳細

人工知能 (AI) アプリケーションは急速に発展しており、他の従来のデータセンターアプリケーションよりもさらに高い電力を必要とします。インフィニオンのCoolSiCは、CoolMOSの細かなRdson設定、幅広いパッケージを提供し、AIサーバーの厳しい要件を満たす、さらなる自由度を提供します。

CoolSiC™ 650 VディスクリートMOSFETを使用して、効率的なPSU設計を実現するリファレンスデザインと評価ボードをご覧ください。

REF_3K3W_HFHD_PSU
REF_1KW_PSU_5G_SIC
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC2
インフィニオンの革新的なSMDパッケージ QDPAK、TOLT、TOLL、ThinTOLL

CoolSiC™ 650 V MOSFETは、TO247に加え、JEDEC登録済みのQDPAKおよびTOLTで提供される上面放熱 (TSC) パッケージをご利用いただけます。上面放熱 (TSC) パッケージは小さなフォームファクタを維持しながら、熱経路 (冷却スタック）と電気経路 (電力ループインダクタンス) の最適化を実現します。さらに、TSCは、自動組み立てによるスケーラビリティとプラットフォーム設計を可能にし、コストを最適化します。一方、TOLLパッケージはドーターカード アプローチを使用したPSUに適しています。ThinTOLLパッケージは、ラインナップ中で最も小さいフォームファクタのため、高電力密度の設計が可能です。

詳細はこちら
上面放熱パッケージの詳細
G2はG1と比較してFOMが30%〜50%改善、性能と電力密度が大幅に向上

G2は、新しいパッケージの追加と最も低い7 mΩを備えた幅広い製品ラインナップを提供します。また、 CoolSiC™ MOSFETの価格性能比もさらに向上しています。

650 VシリコンカーバイドMOSFETの技術情報

インフィニオンのCoolSiC™シリコンカーバイドMOSFET 650 Vディスクリートデバイスは、寄生ターンオン効果に対する優れた耐性と成熟したゲート酸化膜技術を提供します。トーテムポールPFC、三相整流回路 (Vienna Rectifier)、ANPCなどのハードスイッチング トポロジーで優れた性能を発揮します。さらに、G2で出力容量 (Coss) が大幅に削減されたことにより、CLLC、DAB、LLCなどのソフトスイッチングトポロジーにおいて、より高いスイッチング周波数で動作できるようになりました。その結果、3 kWから12 kWまでのサーバーおよびAI PSUの全負荷で最大100 W/in3の電力密度と約97.5%の全体効率を実現すると同時に、部品表 (BOM) を最小限に抑えます。

650 VシリコンカーバイドMOSFETの詳細

人工知能 (AI) アプリケーションは急速に発展しており、他の従来のデータセンターアプリケーションよりもさらに高い電力を必要とします。インフィニオンのCoolSiCは、CoolMOSの細かなRdson設定、幅広いパッケージを提供し、AIサーバーの厳しい要件を満たす、さらなる自由度を提供します。

CoolSiC™ 650 VディスクリートMOSFETを使用して、効率的なPSU設計を実現するリファレンスデザインと評価ボードをご覧ください。

REF_3K3W_HFHD_PSU
REF_1KW_PSU_5G_SIC
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC2

インフィニオンの革新的なSMDパッケージ QDPAK、TOLT、TOLL、ThinTOLL

CoolSiC™ 650 V MOSFETは、TO247に加え、JEDEC登録済みのQDPAKおよびTOLTで提供される上面放熱 (TSC) パッケージをご利用いただけます。上面放熱 (TSC) パッケージは小さなフォームファクタを維持しながら、熱経路 (冷却スタック）と電気経路 (電力ループインダクタンス) の最適化を実現します。さらに、TSCは、自動組み立てによるスケーラビリティとプラットフォーム設計を可能にし、コストを最適化します。一方、TOLLパッケージはドーターカード アプローチを使用したPSUに適しています。ThinTOLLパッケージは、ラインナップ中で最も小さいフォームファクタのため、高電力密度の設計が可能です。

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上面放熱パッケージの詳細

G2はG1と比較してFOMが30%〜50%改善、性能と電力密度が大幅に向上

G2は、新しいパッケージの追加と最も低い7 mΩを備えた幅広い製品ラインナップを提供します。また、 CoolSiC™ MOSFETの価格性能比もさらに向上しています。

ドキュメント

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