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概要

インフィニオンの1200V CoolSiC™シリコンカーバイドMOSFETディスクリートとモジュールは、太陽光発電、エネルギー貯蔵、EV充電、UPS、産業用ドライブなどのアプリケーション向けに特別に開発されました。これらの製品により、よりコストを最適化し、効率的で、コンパクトで信頼性の高いソリューションのシステム設計を加速できます。

製品

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概要

1200 V CoolSiC™ MOSFET モジュール

インフィニオンの1200V CoolSiC™モジュールとディスクリートは、パワーエレクトロニクス業界に革命を起こすために設計された最先端技術です。これらの革新的な製品は、従来のシリコン(Si)デバイスと比較して優れた性能と効率を提供する材料であるシリコンカーバイド(SiC)を基盤として構築されています。1200V CoolSiC™ポートフォリオは、高出力、高効率、コンパクトな電力変換システムに対する需要の高まりに応えるために特別に設計されています。

インフィニオンの1200V CoolSiC™モジュールとディスクリートの主な利点の1つは、より高い電圧と温度範囲で動作できることであり、AIの需要の高まりにより、EV充電インフラストラクチャ、太陽光発電、エネルギー貯蔵、UPSやSSBなどの高速スイッチングアプリケーションに最適です。さらに、自動車産業(OBC、ヒーター、コンプレッサーなど)の電源にも最適です。SiC技術により、これらのデバイスはより高いスイッチング周波数、損失の低減、熱性能の向上を実現し、システムの効率、信頼性、およびシステムコストの改善を実現します。

ディスクリートCoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFETディスクリートは、パワーエレクトロニクスアプリケーションで優れた効率と信頼性を実現するように特別に設計されています。これらのデバイスは400V〜2000Vで入手可能で、7mΩ〜1000mΩのオン抵抗値を特長としています。これらは、力率改善回路、DC-DCコンバータ、DC-ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジに最適化されています。内蔵の高速フリーホイール ダイオードにより、ダイオード チップを追加することなくハード スイッチングが可能になり、回路設計が簡素化されます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、システムの複雑さを軽減し、電力密度を高め、最高の効率を実現して冷却作業を削減します。

ディスクリートハウジング内のCoolSiC MOSFETの詳細

CoolSiC™ MOSFET モジュール

CoolSiC™ MOSFETモジュールは、高い動作温度とスイッチング周波数を可能にし、システム全体の効率を向上させます。これらのモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースタートポロジなど、さまざまな構成で利用でき、1200V、2000V、3300Vで提供されます。

事前に塗布されたサーマルインターフェースマテリアル(TIM)などの追加オプションも注文できます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETモジュールは、トレンチ技術に基づいており、優れたゲート酸化膜信頼性、クラス最高のスイッチング損失、導通損失を特長としています。

モジュールハウジング内のCoolSiC™ MOSFETの詳細

CoolSiC™ MOSFET Generation 2

トレンチテクノロジーを採用した新しいCoolSiC™ MOSFET G2は、SiCテクノロジーに新たなレベルの高性能を実現しました。一般的な電力変換スキームであるAC/DC、DC/DC、DC/ACのあらゆる組み合わせで、最高の品質基準を満たしています。太陽光発電インバーター、蓄電システム、EV充電、産業用電源、モーター駆動など、SiC MOSFETがSiの代替品に比べて、高い性能を提供する多くのユースケースがあります。

CoolSiC™ MOSFET Generation 2の詳細

車載用 CoolSiC™ MOSFET モジュール

トラクション インバーター (DC を高電圧バッテリーから電気モーター用のAC に変換するため)、オンボード バッテリー チャージャー、補助インバーター、HV/LV DC-DC コンバータ、燃料電池エア コンプレッサーやDC-DC ブースト コンバータなどの特定の燃料電池電気自動車 (FCEV) アプリケーションなど、ハイブリッド車および電気自動車アプリケーション向けの幅広いCoolSiC™ MOSFET 自動車用パワーモジュールを提供しています。

車載用認定CoolSiC™モジュールの詳細

1200 V CoolSiC™ MOSFET モジュール

インフィニオンの1200V CoolSiC™モジュールとディスクリートは、パワーエレクトロニクス業界に革命を起こすために設計された最先端技術です。これらの革新的な製品は、従来のシリコン(Si)デバイスと比較して優れた性能と効率を提供する材料であるシリコンカーバイド(SiC)を基盤として構築されています。1200V CoolSiC™ポートフォリオは、高出力、高効率、コンパクトな電力変換システムに対する需要の高まりに応えるために特別に設計されています。

インフィニオンの1200V CoolSiC™モジュールとディスクリートの主な利点の1つは、より高い電圧と温度範囲で動作できることであり、AIの需要の高まりにより、EV充電インフラストラクチャ、太陽光発電、エネルギー貯蔵、UPSやSSBなどの高速スイッチングアプリケーションに最適です。さらに、自動車産業(OBC、ヒーター、コンプレッサーなど)の電源にも最適です。SiC技術により、これらのデバイスはより高いスイッチング周波数、損失の低減、熱性能の向上を実現し、システムの効率、信頼性、およびシステムコストの改善を実現します。

ディスクリートCoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFETディスクリートは、パワーエレクトロニクスアプリケーションで優れた効率と信頼性を実現するように特別に設計されています。これらのデバイスは400V〜2000Vで入手可能で、7mΩ〜1000mΩのオン抵抗値を特長としています。これらは、力率改善回路、DC-DCコンバータ、DC-ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジに最適化されています。内蔵の高速フリーホイール ダイオードにより、ダイオード チップを追加することなくハード スイッチングが可能になり、回路設計が簡素化されます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、システムの複雑さを軽減し、電力密度を高め、最高の効率を実現して冷却作業を削減します。

ディスクリートハウジング内のCoolSiC MOSFETの詳細

CoolSiC™ MOSFET モジュール

CoolSiC™ MOSFETモジュールは、高い動作温度とスイッチング周波数を可能にし、システム全体の効率を向上させます。これらのモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースタートポロジなど、さまざまな構成で利用でき、1200V、2000V、3300Vで提供されます。

事前に塗布されたサーマルインターフェースマテリアル(TIM)などの追加オプションも注文できます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETモジュールは、トレンチ技術に基づいており、優れたゲート酸化膜信頼性、クラス最高のスイッチング損失、導通損失を特長としています。

モジュールハウジング内のCoolSiC™ MOSFETの詳細

CoolSiC™ MOSFET Generation 2

トレンチテクノロジーを採用した新しいCoolSiC™ MOSFET G2は、SiCテクノロジーに新たなレベルの高性能を実現しました。一般的な電力変換スキームであるAC/DC、DC/DC、DC/ACのあらゆる組み合わせで、最高の品質基準を満たしています。太陽光発電インバーター、蓄電システム、EV充電、産業用電源、モーター駆動など、SiC MOSFETがSiの代替品に比べて、高い性能を提供する多くのユースケースがあります。

CoolSiC™ MOSFET Generation 2の詳細

車載用 CoolSiC™ MOSFET モジュール

トラクション インバーター (DC を高電圧バッテリーから電気モーター用のAC に変換するため)、オンボード バッテリー チャージャー、補助インバーター、HV/LV DC-DC コンバータ、燃料電池エア コンプレッサーやDC-DC ブースト コンバータなどの特定の燃料電池電気自動車 (FCEV) アプリケーションなど、ハイブリッド車および電気自動車アプリケーション向けの幅広いCoolSiC™ MOSFET 自動車用パワーモジュールを提供しています。

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