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概要

インフィニオンの2000V CoolSiC™シリコンカーバイドMOSFETディスクリートとモジュールは、EV充電、太陽光発電、エネルギー貯蔵などのアプリケーション向けに特別に開発されました。これらの製品は、要求の厳しい高電圧およびスイッチング周波数条件下でも、システムの信頼性を損なうことなく、電力密度を向上させるように設計されています。

主な機能
  • 最大2.6mΩのオン抵抗定格
  • 1500V DCリンクに最適
  • 高電力密度化
  • システムの複雑性を低減
  • スイッチング損失と導通損失の低減
  • 広いゲートソース電圧範囲
  • 最大Tvj、175°CのOP
  • Vth>4Vの最高しきい値電圧
アプリケーション
EV充電
トラクション
エネルギー貯蔵システム
ソリッドステートサーキットブレーカー
太陽光発電

製品

製品

概要

2000V CoolSiC™ MOSFET

インフィニオンの2000V CoolSiC™モジュールおよびディスクリートは、幅広いアプリケーションで高い電力密度、効率、信頼性を提供するように設計されたシリコンカーバイド(SiC)パワー半導体デバイスのファミリーです。CoolSiC™技術を搭載しており、性能を向上させ、損失を低減した高電圧パワーデバイスの開発を可能にします。

2000V CoolSiC™モジュールとディスクリートは、高電圧で動作するように設計されているため、産業用電源、再生可能エネルギーシステム、電気自動車の充電インフラなどのアプリケーションに適しています。これらのデバイスには、高スイッチング周波数、低スイッチング損失、高熱伝導率など、さまざまな利点があり、高電力アプリケーションに最適です。

インフィニオンの2000V CoolSiC™モジュールとディスクリートの主な利点の1つは、高温での動作能力であり、過酷な環境での使用に適しています。

ディスクリートCoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFETディスクリートは、パワーエレクトロニクスアプリケーションで優れた効率と信頼性を実現するように特別に設計されています。これらのデバイスは400V〜2000Vで入手可能で、7mΩ〜1000mΩのオン抵抗値を特長としています。これらは、力率改善回路、DC-DCコンバータ、DC-ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジに最適化されています。内蔵の高速フリーホイール ダイオードにより、ダイオード チップを追加することなくハード スイッチングが可能になり、回路設計が簡素化されます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、システムの複雑さを軽減し、電力密度を高め、最高の効率を実現して冷却作業を削減します。

ディスクリートハウジング内のCoolSiC MOSFETの詳細
CoolSiC™ MOSFET モジュール

CoolSiC™ MOSFETモジュールは、高い動作温度とスイッチング周波数を可能にし、システム全体の効率を向上させます。これらのモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースタートポロジなど、さまざまな構成で利用でき、1200V、2000V、3300Vで提供されます。

事前に塗布されたサーマルインターフェースマテリアル(TIM)などの追加オプションも注文できます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETモジュールは、トレンチ技術に基づいており、優れたゲート酸化膜信頼性、クラス最高のスイッチング損失、導通損失を特長としています。

モジュールハウジング内のCoolSiC MOSFETの詳細
CoolSiC™ MOSFET Generation 2

トレンチテクノロジーを採用した新しいCoolSiC™ MOSFET G2は、SiCテクノロジーに新たなレベルの高性能を実現しました。一般的な電力変換スキームであるAC/DC、DC/DC、DC/ACのあらゆる組み合わせで、最高の品質基準を満たしています。太陽光発電インバーター、蓄電システム、EV充電、産業用電源、モーター駆動など、SiC MOSFETがSiの代替品に比べて、高い性能を提供する多くのユースケースがあります。

 

CoolSiC™ MOSFET Generation 2の詳細

2000V CoolSiC™ MOSFET

インフィニオンの2000V CoolSiC™モジュールおよびディスクリートは、幅広いアプリケーションで高い電力密度、効率、信頼性を提供するように設計されたシリコンカーバイド(SiC)パワー半導体デバイスのファミリーです。CoolSiC™技術を搭載しており、性能を向上させ、損失を低減した高電圧パワーデバイスの開発を可能にします。

2000V CoolSiC™モジュールとディスクリートは、高電圧で動作するように設計されているため、産業用電源、再生可能エネルギーシステム、電気自動車の充電インフラなどのアプリケーションに適しています。これらのデバイスには、高スイッチング周波数、低スイッチング損失、高熱伝導率など、さまざまな利点があり、高電力アプリケーションに最適です。

インフィニオンの2000V CoolSiC™モジュールとディスクリートの主な利点の1つは、高温での動作能力であり、過酷な環境での使用に適しています。

ディスクリートCoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFETディスクリートは、パワーエレクトロニクスアプリケーションで優れた効率と信頼性を実現するように特別に設計されています。これらのデバイスは400V〜2000Vで入手可能で、7mΩ〜1000mΩのオン抵抗値を特長としています。これらは、力率改善回路、DC-DCコンバータ、DC-ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジに最適化されています。内蔵の高速フリーホイール ダイオードにより、ダイオード チップを追加することなくハード スイッチングが可能になり、回路設計が簡素化されます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、システムの複雑さを軽減し、電力密度を高め、最高の効率を実現して冷却作業を削減します。

ディスクリートハウジング内のCoolSiC MOSFETの詳細

CoolSiC™ MOSFET モジュール

CoolSiC™ MOSFETモジュールは、高い動作温度とスイッチング周波数を可能にし、システム全体の効率を向上させます。これらのモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースタートポロジなど、さまざまな構成で利用でき、1200V、2000V、3300Vで提供されます。

事前に塗布されたサーマルインターフェースマテリアル(TIM)などの追加オプションも注文できます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETモジュールは、トレンチ技術に基づいており、優れたゲート酸化膜信頼性、クラス最高のスイッチング損失、導通損失を特長としています。

モジュールハウジング内のCoolSiC MOSFETの詳細

CoolSiC™ MOSFET Generation 2

トレンチテクノロジーを採用した新しいCoolSiC™ MOSFET G2は、SiCテクノロジーに新たなレベルの高性能を実現しました。一般的な電力変換スキームであるAC/DC、DC/DC、DC/ACのあらゆる組み合わせで、最高の品質基準を満たしています。太陽光発電インバーター、蓄電システム、EV充電、産業用電源、モーター駆動など、SiC MOSFETがSiの代替品に比べて、高い性能を提供する多くのユースケースがあります。

 

CoolSiC™ MOSFET Generation 2の詳細

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