CoolSiC™ハイブリッドモジュール

SiC ダイオードとトランジスタは、最新の革新的なパワーエレクトロニクスの主要コンポーネントです。

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概要

最高の電力密度と効率は、チップを単独で使用するか、パワーモジュール内のシリコンパワーデバイスと組み合わせて使用することで実現できます。SiCダイオードは、IGBT技術の機能をさらに拡張することを可能にします。

主な特長

  • 高スイッチング周波数
  • 高い電流処理能力
  • ターンオン損失の大幅な低減
  • 最高水準の性能

製品

概要

蓄積された電荷が少ないため、最新のIGBTのターンオン損失を大幅に低減でき、相当する純粋なシリコンベースのソリューションと比較して、より高いスイッチング周波数および/またはより高い電流容量が可能になります。ターゲットアプリケーションで利用可能な最高の性能を活用する理想的なペアを形成するために特別な注意が払われたSiCダイオードとIGBTを組み合わせて実装したパワーモジュールを以下に示します。

CoolSiC™ハイブリッドモジュールは、ソーラー、蓄電システム、EV充電、UPSなどのアプリケーション特有の要求を満たすように開発されました。

SiCコンポーネントを搭載したパワー モジュールの製品ラインアップは、受賞歴のあるCoolSiC™ 技術をベースに、SiCダイオードとシリコン トランジスタの組み合わせ、またはSiCベースのトランジスタを用いた製品を追加しながら、段階的に拡充していきます。

アプリケーションの電力に関係なく、当社のパワーモジュールSiCポートフォリオは、EasyPACK™ 1B/2BのようなパッケージからEasyPACK™ 3Bのようなより大きなパッケージに至るまで、より効率的な設計を可能にします。

蓄積された電荷が少ないため、最新のIGBTのターンオン損失を大幅に低減でき、相当する純粋なシリコンベースのソリューションと比較して、より高いスイッチング周波数および/またはより高い電流容量が可能になります。ターゲットアプリケーションで利用可能な最高の性能を活用する理想的なペアを形成するために特別な注意が払われたSiCダイオードとIGBTを組み合わせて実装したパワーモジュールを以下に示します。

CoolSiC™ハイブリッドモジュールは、ソーラー、蓄電システム、EV充電、UPSなどのアプリケーション特有の要求を満たすように開発されました。

SiCコンポーネントを搭載したパワー モジュールの製品ラインアップは、受賞歴のあるCoolSiC™ 技術をベースに、SiCダイオードとシリコン トランジスタの組み合わせ、またはSiCベースのトランジスタを用いた製品を追加しながら、段階的に拡充していきます。

アプリケーションの電力に関係なく、当社のパワーモジュールSiCポートフォリオは、EasyPACK™ 1B/2BのようなパッケージからEasyPACK™ 3Bのようなより大きなパッケージに至るまで、より効率的な設計を可能にします。

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