逆並列ダイオード内蔵ディスクリートIGBT

逆並列ダイオードまたはモノリシック集積ダイオードを搭載したデバイスから、お客様のアプリケーションに最適な製品をお選びいただけます。

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概要

TRENCHSTOP™ 強化絶縁は、絶縁パッケージで最先端技術を提供します。高度なアイソフォイルと比較して、高度な絶縁材料の熱抵抗Rth(j-h)が35%低いため、チップからヒートシンクまでの効果的で信頼性の高い熱経路が可能になります。

広範な600V/1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7ポートフォリオは、短絡保護機能/堅牢性を必要とするすべての産業用アプリケーション向けの優れたオプションです。優れた制御性と短絡耐性を備えたIGBT7は、優れた電気的性能、より高い制御性、容易なEMI 設計、および過酷な条件下でのアプリケーションにおける高い信頼性 (HV-H3TRBおよび宇宙線の堅牢性) により、SC デバイスのベンチマークを表しています。

TO-247 4ピン(ケルビンエミッタ)パッケージに搭載された650 Vクラスの50 Aおよび75 A S5 TRENCHSTOP™ IGBT5により、10 kHzから40 kHzの中速スイッチングで最高の効率を実現します。

TO-247PLUSパッケージのより大きなアクティブチップ面積は、TO-247と同じフットプリントで75 AのダイオードおよびIGBTに対応します。TO-247PLUSの高い電力密度は、並列接続を減らし、システム効率やシステムの電力出力の向上を図ることが可能です。

ケルビンエミッタ端子として知られる4番目のピンは、ゲート制御ループ上のエミッタリードインダクタンスをバイパスし、IGBTのスイッチング速度を向上させ、スイッチングエネルギーを低減します。

TRENCHSTOP™ 強化絶縁は、絶縁パッケージで最先端技術を提供します。高度なアイソフォイルと比較して、高度な絶縁材料の熱抵抗Rth(j-h)が35%低いため、チップからヒートシンクまでの効果的で信頼性の高い熱経路が可能になります。

広範な600V/1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7ポートフォリオは、短絡保護機能/堅牢性を必要とするすべての産業用アプリケーション向けの優れたオプションです。優れた制御性と短絡耐性を備えたIGBT7は、優れた電気的性能、より高い制御性、容易なEMI 設計、および過酷な条件下でのアプリケーションにおける高い信頼性 (HV-H3TRBおよび宇宙線の堅牢性) により、SC デバイスのベンチマークを表しています。

TO-247 4ピン(ケルビンエミッタ)パッケージに搭載された650 Vクラスの50 Aおよび75 A S5 TRENCHSTOP™ IGBT5により、10 kHzから40 kHzの中速スイッチングで最高の効率を実現します。

TO-247PLUSパッケージのより大きなアクティブチップ面積は、TO-247と同じフットプリントで75 AのダイオードおよびIGBTに対応します。TO-247PLUSの高い電力密度は、並列接続を減らし、システム効率やシステムの電力出力の向上を図ることが可能です。

ケルビンエミッタ端子として知られる4番目のピンは、ゲート制御ループ上のエミッタリードインダクタンスをバイパスし、IGBTのスイッチング速度を向上させ、スイッチングエネルギーを低減します。