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ディスクリートIGBTを使用して主要な家電製品や産業用アプリケーション向けのパワー・エレクトロニクス・システムを設計する際、適切な妥協点を見出そうとするのは、長年の課題でした。完全絶縁されたパッケージ (Full-Paks) や ISOフォイルまたはセラミックを使用したディスクリートIGBTなど、市場で入手できるソリューションは、高価で性能が低く、扱いにくい上に、現在の高電力密度のチップに対応できるだけの放熱性がありません。

  • 設計の柔軟性
  • 高出力電力
  • 低い冷却効率
  • 高信頼性
  • 電気的絶縁

製品

概要

Advanced Isolation は、従来のパッケージング技術や絶縁技術の限界に対するインフィニオンの回答を表しています。この新しい絶縁パッケージは、チップからヒートシンクへの効果的で信頼性の高い熱経路により、最高の電力密度、最高の性能、最も低い冷却効率を実現します。

このパッケージコンセプトは、性能、設計の柔軟性、扱いやすさの点で最高の要件を満たすことができます。サーマル グリースやサーマル インターフェース シートが不要なため、Advanced Isolation は熱抵抗率を少なくとも 35% 低減し、システムコストを 10 % 以上削減、また、システムの複雑さ、開発時間、組み立てコストを削減できます。

Advanced Isolation は、絶縁パッケージに組み込まれた最先端テクノロジーであり、高度に差別化されたシステムを実現しようとする設計者に課せられてきた限界や制約を取り除きます。

完全に絶縁されたパッケージは、1秒間3.0kVの絶縁耐圧 (Viso) を備えた100% 絶縁プラグアンドプレイ ソリューションを提供します。 クラス最高のRth(j–h)は、 ISO フォイルと比較してRth(j-h) が35% 低減、また、Full-Pak と比較して50 % 低減、標準の絶縁フォイルよりも36 % 低減、MICA (Al2O3と同様) より2 5% 低い38 pF の低結合容量を備えており、設計に最適です。

Advanced Isolated パッケージでは、ヒートシンクのサイズを小さくするか、絶縁材料を使用した標準のTO-247と比較して最大 10°C 低い Tc、および高電力出力のために最大 20% の Iout 増加で電力密度を高める必要があります。さらに、EMIフィルタのサイズが小さくなり、信頼性が向上し、並列化が容易になることで、システムコストが削減され、完全な製造プロセス制御が可能になります。

Advanced Isolation は、従来のパッケージング技術や絶縁技術の限界に対するインフィニオンの回答を表しています。この新しい絶縁パッケージは、チップからヒートシンクへの効果的で信頼性の高い熱経路により、最高の電力密度、最高の性能、最も低い冷却効率を実現します。

このパッケージコンセプトは、性能、設計の柔軟性、扱いやすさの点で最高の要件を満たすことができます。サーマル グリースやサーマル インターフェース シートが不要なため、Advanced Isolation は熱抵抗率を少なくとも 35% 低減し、システムコストを 10 % 以上削減、また、システムの複雑さ、開発時間、組み立てコストを削減できます。

Advanced Isolation は、絶縁パッケージに組み込まれた最先端テクノロジーであり、高度に差別化されたシステムを実現しようとする設計者に課せられてきた限界や制約を取り除きます。

完全に絶縁されたパッケージは、1秒間3.0kVの絶縁耐圧 (Viso) を備えた100% 絶縁プラグアンドプレイ ソリューションを提供します。 クラス最高のRth(j–h)は、 ISO フォイルと比較してRth(j-h) が35% 低減、また、Full-Pak と比較して50 % 低減、標準の絶縁フォイルよりも36 % 低減、MICA (Al2O3と同様) より2 5% 低い38 pF の低結合容量を備えており、設計に最適です。

Advanced Isolated パッケージでは、ヒートシンクのサイズを小さくするか、絶縁材料を使用した標準のTO-247と比較して最大 10°C 低い Tc、および高電力出力のために最大 20% の Iout 増加で電力密度を高める必要があります。さらに、EMIフィルタのサイズが小さくなり、信頼性が向上し、並列化が容易になることで、システムコストが削減され、完全な製造プロセス制御が可能になります。

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