S80KS2564GACHV043
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S80KS2564GACHV043

データシート
パッケージ

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S80KS2564GACHV043
S80KS2564GACHV043
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    HYPERBUS x16
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-4
  • メモリ容量
    256 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERRAM
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
S80KS2564GACHV043
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-49
パッケージ名 FBGA-49 (002-32552)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-49
パッケージ名 FBGA-49 (002-32552)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
S80KS2564GACHV043は256 MbのHYPERRAM自己リフレッシュDRAM（PSRAM）で、16-bit HYPERBUS extended-IO DDRインターフェースにより低ピン数のメモリ拡張に対応します。1.7 V～2.0 Vで動作し、最大200 MHzで800 MBpsのスループット、最大アクセス時間35 nsをサポート。RWDSはソースシンクロナス読出しストローブと書込みマスクに使用。待機電流は最小1.55 Aで、Hybrid SleepとDeep Power Downを備えます。

特長

  • HYPERBUS拡張IO x16バス
  • DDRで両エッジ転送
  • 最大200 MHzクロック
  • 最大800 MBpsスループット
  • 最大アクセスtACC 35 ns
  • 差動クロックCK/CK#対応
  • RWDSはストローブ兼マスク
  • リニア/ラップバースト可変
  • VCC/VCCQ 1.7 V～2.0 V
  • ハイブリッドスリープで保持
  • ディープパワーダウンで停止
  • ESD: HBM 2 kV, CDM 500 V

利点

  • x16 DDRでピン当たり帯域向上
  • 800 MBpsで高速バッファ実現
  • tACC 35 nsで遅延を低減
  • 差動クロックで耐ノイズ向上
  • RWDSでタイミング設計が容易
  • バーストでホスト転送を最適化
  • 1.8 V系MCUに合わせやすい
  • ハイブリッド睡眠で保持し省電力
  • DPDで未使用時の消費を最小化
  • ESDで取扱い歩留まり改善
  • オーバーシュート許容でSI容易
  • クロック停止でIF電流を低減

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ