ISC011N06LM5
Active and preferred
RoHS対応

ISC011N06LM5

Optimos™ 5 logic level power MOSFET 60V in small package
データシート
パッケージ
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在庫あり

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ISC011N06LM5
ISC011N06LM5
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    295 A
  • QG (typ @10V)
    127 nC
  • QG (typ @4.5V)
    63 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.15 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.45 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    1.1 V～2.3 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    1.42
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Fused leads
推奨
OPN
ISC011N06LM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The ISC011N06LM5, Infineon's OptiMOS™ MOSFET in the SuperSO8 package extends the OptiMOS™ 5 and 3 product portfolio and enables higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance. Low reverse recovery charge (Qrr) improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.

特長

  • Low 1.15 mohm max RDS(on)
  • Higher operating temp rating to 175°C
  • Low RthJC
  • Excellent thermal behavior
  • Low reverse recovery charge

利点

  • Lower full load temperature
  • Less paralleling
  • Reduced overshoot
  • Increased system power density
  • Smaller size
  • System cost reduction
  • Engineering costs and effort reduction
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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