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IRFIZ44N
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IRFIZ44N

生産終了
55V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 FullPak package
データシート
パッケージ

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IRFIZ44N
IRFIZ44N
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    31 A
  • Ptot (最大)
    38 W
  • Qgd
    18 nC
  • QG (typ @10V)
    43.3 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    24 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.3 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    0.46
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRFIZ44NPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
FULLPAK220
パッケージ名 TO-220 FullPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
CN,TW

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
FULLPAK220
パッケージ名 TO-220 FullPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
CN,TW
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Isolated package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • No need for insulating hardware

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ