IRFH4253D
新規設計非推奨
RoHS対応

IRFH4253D

25V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm Lead Free package
データシート

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IRFH4253D
IRFH4253D
データシート


製品仕様情報

  • ID (最大)
    64 A, 145 A
  • IDpuls (最大)
    120 A, 580 A
  • Ptot (最大)
    31 W, 50 W
  • Qgd
    12 nC, 3.8 nC
  • QG
    10 nC, 31 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.45 mΩ, 4.6 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    1.1 mΩ, 3.2 mΩ
  • RthJA (最大)
    38 K/W, 34 K/W
  • Special Features
    Logic Level, Schottky (includes Schottky like and FETky)
  • Tj (最小)
    -55 °C
  • VDS (最大)
    25 V, 25 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    PowerStage 5x6 (TISON-8)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 極性
    N+N

OPN
IRFH4253DTRPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ PG-TISON-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
MY

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ PG-TISON-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
MY

利点

  • RoHS Compliant
  • Qualified Industrial
  • Qualified MSL1
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Control and Synchronous MOSFETs in one package
  • Low Charge Control MOSFET
  • Low Rdson Synchronous MOSFET
  • Intrinsic Schottky diode with Low Forward Voltage on Q2
  • FastIRFET™

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ