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IRFH4253D

25V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm Lead Free package
データシート
EA.
在庫あり

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IRFH4253D
IRFH4253D
EA.
データシート

Product details

  • ID max
    64 A, 145 A
  • IDpuls max
    120 A, 580 A
  • Ptot max
    31 W, 50 W
  • Qgd
    12 nC, 3.8 nC
  • QG
    10 nC, 31 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.45 mΩ, 4.6 mΩ
  • RDS (on) max
    1.1 mΩ, 3.2 mΩ
  • RthJA max
    38 K/W, 34 K/W
  • Tj min
    -55 °C
  • VDS max
    25 V, 25 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    PowerStage 5x6 (TISON-8)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 min
    -55 °C
  • 極性
    N+N
  • 特別な機能
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
推奨
OPN
IRFH4253DTRPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ PG-TISON-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TISON-8
パッケージ名 -
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

利点

  • RoHS Compliant
  • Qualified Industrial
  • Qualified MSL1
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Control and Synchronous MOSFETs in one package
  • Low Charge Control MOSFET
  • Low Rdson Synchronous MOSFET
  • Intrinsic Schottky diode with Low Forward Voltage on Q2
  • FastIRFET™

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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