IRFB3306
新規設計非推奨
RoHS対応

IRFB3306

60V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ

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IRFB3306
IRFB3306
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    160 A
  • Ptot (最大)
    230 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    85 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.2 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.65 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.6
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRFB3306PBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,MX
ウェハ製造国
DE,KR,TW

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MX
ウェハ製造国
DE,KR,TW
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Industry standard through-hole package
  • High-current rating
  • JEDEC standard Product qualification
  • 100kHz Silicon switching applications
  • Softer body-diode vs previous generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High-current carrying capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Increased power density
  • Flexibility for optimal device selection
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ