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終息
生産中止
RoHS準拠
鉛フリー

IRF8313

終息
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ

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IRF8313
IRF8313
データシート

Product details

  • ID (@ TA=25°C) max
    9.7 A, 9.7 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    8.1 A, 8.1 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    2.2 nC
  • QG
    6 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    15.5 mΩ
  • RDS (on) max
    15.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    21.6 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    SO-8
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Polarity
    N+N, N+N
OPN
IRF8313TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Very Low Gate Charge
  • Dual N-Channel MOSFET

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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